[實(shí)用新型]一種新型無功及不平衡補(bǔ)償控制裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021083143.0
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN212183133U
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉飛;畢平勁;李新初;楊如峰;蔣紹濤
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢欣和開元電子有限公司
• 主分類號: H02J3/18
• 分類號: H02J3/18;H02M7/5387;H02M1/088
• 代理公司: 武漢知產(chǎn)時(shí)代知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42238
• 代理人: 萬文廣

本實(shí)用新型涉及一種新型無功及不平衡補(bǔ)償控制裝置，具體包括：三相三電平IGBT逆變橋電路、ARM采樣控制電路和IGBT驅(qū)動電路連接在一起構(gòu)成三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償器；所述三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償器與電網(wǎng)三相四線電源和負(fù)荷電性連接，構(gòu)成三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償電路。本實(shí)用新型的有益效果是：通過三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償器及補(bǔ)償控制裝置，消除不平衡負(fù)荷會帶來包含零序分量和負(fù)序分量的不對稱分量，在保證節(jié)能環(huán)保的同時(shí)，提高供電質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電力電子領(lǐng)域，尤其涉及一種新型無功及不平衡補(bǔ)償控制裝置。

背景技術(shù)

電網(wǎng)中大多數(shù)負(fù)荷需要消耗無功功率，這些無功功率如果都要由發(fā)電機(jī)提供并經(jīng)過長距離傳送是不合理的，合理的方法應(yīng)該是靠近負(fù)荷的地方產(chǎn)生所需要的無功功率，也就是所述的無功補(bǔ)償。通常不平衡負(fù)荷會帶來包含零序分量和負(fù)序分量的不對稱分量，尤其是三相四線電力網(wǎng)使用過程中，不僅影響了供電質(zhì)量，也不利于節(jié)能環(huán)保。不平衡補(bǔ)償可以認(rèn)為是無功補(bǔ)償?shù)囊环N特殊形式。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種設(shè)計(jì)簡單合理、可靠提高供電質(zhì)量且節(jié)能環(huán)保的新型三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償控制裝置。具體實(shí)用新型內(nèi)容如下：

三相三電平IGBT逆變橋電路、ARM采樣控制電路和IGBT驅(qū)動電路；所述ARM 采樣控制電路與所述三相三電平IGBT逆變橋電路電性連接；所述IGBT驅(qū)動電路與所述三相三電平IGBT逆變橋電路電性連接；所述三相三電平IGBT逆變橋電路由三相三電平逆變橋與電容半橋連接構(gòu)成。

進(jìn)一步地，所述ARM采樣控制電路，包括電壓互感器、電流互感器、信號調(diào)理電路和ARM主控制器ADC電路。

進(jìn)一步地，所述電壓互感器和所述電流互感器與所述信號調(diào)理電路電性連接；所述信號調(diào)理電路與所述ARM主控制器ADC電路電性連接。

進(jìn)一步地，所述一種新型無功及不平衡補(bǔ)償控制裝置還與電網(wǎng)三相四線電源和負(fù)荷一起構(gòu)成三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償電路。

進(jìn)一步地，在所述三相四線制無功及不平衡補(bǔ)償電路中，所述三相三電平 IGBT逆變橋電路、所述ARM采樣控制電路與所述電網(wǎng)三相四線電源的電源側(cè)三相電壓及中性線N相電性連接；所述電網(wǎng)三相四線電源和負(fù)荷電性連接。

進(jìn)一步地，所述三相三電平IGBT逆變橋電路包括：IGBT器件Q1、IGBT器件 Q2、IGBT器件Q3、IGBT器件Q4、IGBT器件Q5、IGBT器件Q6、IGBT器件Q7、IGBT器件Q8、IGBT器件Q9、IGBT器件Q10、IGBT器件Q11、IGBT器件Q12、二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4、二極管D5、二極管D6、電容C1 和電容C2；

IGBT器件Q1-Q3的集電極C依次相連，并共同連接至電容C1的一端；IGBT 器件Q1-Q3的發(fā)射極E分別連接至IGBT器件Q4-Q6的集電極E；IGBT器件Q1-Q3 的發(fā)射極E還分別連接至二極管D1-D3的陰極；二極管D1-D3的陽極依次連接，并共同連接至電容C1的另一端；電容C1的另一端還與電容C2的一端相連；二極管D1-D3的陽極還分別與二極管D4-D6的陰極相連；二極管D4-D6的陽極分別與IGBT器件Q10-Q12的柵極G相連；IGBT器件Q10-Q12的發(fā)射極E分別依次相連，并共同連接至電容C2的另一端；IGBT器件Q10-Q12的集電極C分別與IGBT 器件Q7-Q9的發(fā)射極E相連；IGBT器件Q7-Q9的集電極C分別與IGBT器件Q4-Q6 的發(fā)射極E相連。

所述三相三電平IGBT逆變橋電路與所述IGBT驅(qū)動電路的具體連接關(guān)系為：所述三相三電平IGBT逆變橋電路的IGBT器件Q1-Q12的柵極G分別連接至所述 IGBT驅(qū)動電路。