[實用新型]一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置有效
| 申請號: | 202021067529.2 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN213132003U | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 金雪松;黃順民;金宇;張森林;周伯榮 | 申請(專利權)人: | 南通市華安超臨界萃取有限公司 |
| 主分類號: | B01D11/00 | 分類號: | B01D11/00;B01D9/02 |
| 代理公司: | 北京馳納智財知識產權代理事務所(普通合伙) 11367 | 代理人: | 蔣路帆 |
| 地址: | 226681 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 臨界 萃取 分離 裝置 自適應 控制 | ||
本實用新型公開了一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置,屬于超臨界萃取分離裝領域,一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置,本方案可以實現通過物聯網技術對分離環境中的壓強進行控制,使得目標晶體析晶速率得到控制,不易出現目標晶體析出的速率過慢,目標晶體生長過慢,不易出現目標晶體晶體析出過快而產生野蠻生長造成目標晶體過于分散,同時在分離釜主體內設置捕捉纖維簇使得目標晶體易在捕捉纖維簇的彈性纖維個體上析出并吸附,使得析出的目標晶體可以生長在預先設計的指定位置,同時在分離釜主體內設有與捕捉纖維簇相匹配的收集盤,便于后續對目標結晶進行收集提純,增加分離效率。
技術領域
本實用新型涉及超臨界萃取分離裝領域,更具體地說,涉及一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置。
背景技術
超臨界為超臨界流體,是介于氣液之間的一種既非氣態又非液態的物態,這種物質只能在其溫度和壓力超過臨界點時才能存在。超臨界流體的密度較大,與液體相仿,而它的粘度又較接近于氣體。因此超臨界流體是一種十分理想的萃取劑,超臨界CO2流體萃取(SFE)分離過程的原理是利用超臨界流體的溶解能力與其密度的關系,即利用壓力和溫度對超臨界流體溶解能力的影響而進行的。在超臨界狀態下,將超臨界流體與待分離的物質接觸,使其有選擇性地把極性大小、沸點高低和分子量大小的成分依次萃取出來。當然,對應各壓力范圍所得到的萃取物不可能是單一的,但可以控制條件得到最佳比例的混合成分,然后借助減壓、升溫的方法使超臨界流體變成普通氣體,被萃取物質則完全或基本析出,從而達到分離提純的目的,所以超臨界CO2 流體萃取過程是由萃取和分離過程組合而成的。
超臨界萃取中,在將萃取液與目標晶體質分離的過程中,對分離環境中的壓強控制尤其重要,壓強變化太慢,目標晶體析出的速率過慢,影響分離效率,而壓強變化過快的又會導致析晶過快,使得分離出的目標晶體晶體過于分散,增加后續收集提純的難度,也會影響分離效率。
實用新型內容
1.要解決的技術問題
針對現有技術中存在的問題,本實用新型的目的在于提供一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置,它可以實現通過物聯網技術對分離環境中的壓強進行控制,使得目標晶體析晶速率得到控制,便于后續對目標結晶進行收集提純,增加分離效率。
2.技術方案
為解決上述問題,本實用新型采用如下的技術方案。
一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置,分離釜主體,所述分離釜主體的上端固定連接有與自身相匹配的釜蓋,所述分離釜主體與釜蓋之間連接有密封墊圈,且密封墊圈與釜蓋固定連接,所述分離釜主體的底端固定連接有進料管,所述進料管靠近分離釜主體的一端貫穿分離釜主體的底板并延伸至分離釜主體內,所述分離釜主體的側壁固定連接有廢氣管,所述廢氣管靠近分離釜主體側壁的一端貫穿側壁并延伸至分離釜主體內,所述廢氣管內固定連接有與自身相匹配的密封裝置,所述密封裝置包括安裝基臺,所述安裝基臺內套接有與自身相匹配的密封罩,所述密封罩的側壁上開鑿有多個通氣孔,所述密封罩與安裝基臺之間固定連接有電動伸縮桿;
一種用于超臨界萃取分離裝置的自適應控制裝置的控制系統,包括控制終端,所述控制終端分別信號連接有壓強傳感器和電動伸縮桿,所述控制終端信號連接有處理終端,所述處理終端信號連接有存儲云端,可以實現通過物聯網技術對分離環境中的壓強進行控制,使得目標晶體析晶速率得到控制,便于后續對目標結晶進行收集提純,增加分離效率。
進一步的,所述分離釜主體內滑動連接有收集盤,所述收集盤包括收集部和耳塊,所述分離釜主體的內壁上開鑿有與耳塊相匹配的限位滑槽,所述分離釜主體與收集盤之間通過耳塊和限位滑槽滑動連接,所述分離釜主體內壁連接有磁性膠墊,所述磁性膠墊開鑿有與限位滑槽相匹配的缺口,所述磁性膠墊遠離分離釜主體內壁的一端固定連接有捕捉纖維簇,所述捕捉纖維簇遠離磁性膠墊的一端填充在收集盤和限位滑槽內,在分離過程中,目標晶體會優先在捕捉纖維簇上析出沾附,方便技術人員后續利用收集盤將捕捉纖維簇上沾附的目標晶體進行統一回收。
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