[實用新型]一種深紫外正裝結構的LED芯片

有效

• 申請號: 202021040841.2
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN214043697U
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 張曉娜;崔志勇;張向鵬;李勇強
• 申請（專利權）人: 山西中科潞安紫外光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/36;H01L33/20
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390
• 代理人: 張永輝

本專利涉及一種深紫外正裝結構的LED芯片，包括：外延層結構，所述外延層結構包括PN結，所述PN結的頂部設置有P型AlGaN層、量子阱層以及N型AlGaN層；電極，所述電極包括N電極、P電極，所述N電極與所述N型AlGaN層直接連接；GaN層，設置在所述P型AlGaN層的上表面，所述P電極設置在所述GaN層的上表面，GaN層的圖案形狀與所述P電極圖案的形狀匹配；ITO層，所述ITO層設置在所述P型AlGaN層的上表面，位于所述GaN層的周圍。在p?GaN層留出易于歐姆接觸的P電極圖形，同時刻蝕出易于出光的p?AlGaN層面，使肼層電子空穴復合后主要從正面與側面出光，避開了p?GaN層對紫外光的強吸收現象。

技術領域

本專利涉及半導體外延結構與芯片器件領域，具體來說是一種具有正裝結構的深紫外LED芯片。

背景技術

現有技術中深紫外外延結構，包括襯底上依次形成氮化鋁模板層、AlN/AlGaN超晶格應力緩沖層、n型鋁鎵氮層、多量子阱結構層、電子阻擋層和P型空穴傳導層。基于此外延結構，深紫外芯片器件大多使用倒裝結構，從透明襯底面出光或者鍵合新襯底。此倒裝芯片結構由于P型GaN對深紫外光具有很強的吸收，同時由于光從背面透出的過程中，由于深紫外LED外延片中內部接觸層材料以及外延層結構相互之間的光吸收現象而導致發光效率低、亮度差，并且此倒裝結構一般需要5次光刻或以上，工藝步驟多且復雜，制造成本過高。

發明內容

本專利正是基于現有技術的上述需求而提出的，本專利要解決的技術問題包括提供一種深紫外正裝結構芯片及一種深紫外正裝結構芯片的制造方法，以使得制造工藝步驟減少，降低制造成本。

為了解決上次技述技術問題，本專利提供的技術方案包括：

一種深紫外正裝結構的LED芯片，其特征在于，包括：外延層結構，所述外延層結構包括PN結，所述PN結的頂部設置有P型AlGaN層、量子阱層以及N 型AlGaN層；電極，所述電極包括N電極、P電極，所述N電極與所述N型AlGaN 層直接連接；GaN層，設置在所述P型AlGaN層的上表面，所述P電極設置在所述GaN層的上表面，GaN層的圖案形狀與所述P電極圖案的形狀匹配；ITO層，所述ITO層設置在所述P型AlGaN層的上表面，位于所述GaN層的周圍。

優選地，所述GaN層的截面面積為所述P電極圖案截面面積的120％-150％。

優選地，所述深紫外正裝LED芯片的上表面還包括鈍化層。

優選地，所述鈍化層采用SiO₂層。

本專利在p-GaN層留出易于歐姆接觸的P電極圖形，同時刻蝕出易于出光的 p-AlGaN層面，使阱層電子空穴復合后主要從正面與側面出光，避開了p-GaN層對紫外光的強吸收現象。

附圖說明

圖1是本專利具體實施方式一個實施例中一種深紫外正裝芯片的結構圖。

具體實施方式

本專利所描述的技術方案包括各種具體的實施例，以及在各種具體實施例上所進行的修改。在本具體實施方式中，對這些技術方案通過結合附圖的方式進行示例性的闡述，以使得本專利的發明構思、技術特征、技術特征的效果等，通過對這些具體實施方式的描述變得更加明顯。但是需要指出的是，本專利的保護范圍顯然不應當僅限于這些實施例所描述的內容，而是可以通過在本專利發明構思下的多種方式來實施。

在本具體實施方式的描述中，需要注意以下一些閱讀參考，以便于能夠準確理解本具體實施方式中文字所表達的含義：