[實(shí)用新型]吸波結(jié)構(gòu)、器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021013194.6
• 申請日: 2020-06-03
• 公開（公告）號: CN213026518U
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李勃;趙乾;李澤顏;朱朋飛;王浩;王榮
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)深圳國際研究生院
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00;H05K9/00
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 黃廣龍

1.吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一介質(zhì)層，開設(shè)有通孔；

第二介質(zhì)層，設(shè)置于所述第一介質(zhì)層一端；

液晶分子，設(shè)置于所述第二介質(zhì)層內(nèi)部，用于吸收電磁波；

電極組件，設(shè)置于所述第二介質(zhì)層兩端，用于根據(jù)電壓大小調(diào)節(jié)所述液晶分子的取向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第三介質(zhì)層，設(shè)置于所述第二介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一介質(zhì)層的一端，用于隔絕電磁波透射。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極組件包括：

上極板，設(shè)置于所述第二介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層之間；

下極板，設(shè)置于所述第二介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上極板和所述下極板之間的間距為0.5-1mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔的形狀為十字架形。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三介質(zhì)層為金屬介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上極板和所述下極板之間接入外加電源，所述外加電源的電壓大小為0.1-50V。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為1-2mm。

9.一種吸波器件，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的吸波結(jié)構(gòu)，所述吸波結(jié)構(gòu)設(shè)置若干個，且若干所述吸波結(jié)構(gòu)呈陣列排布。