[實(shí)用新型]一種電子束蒸發(fā)臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021013114.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN212223086U | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬溢華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫芯譜半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/30 | 分類號(hào): | C23C14/30;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 韓璐 |
| 地址: | 214000 江蘇省無(wú)錫市會(huì)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子束 蒸發(fā) | ||
1.一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,包括:
箱體(1),所述箱體(1)為內(nèi)部具有真空腔室的腔體(11);
旋轉(zhuǎn)裝置,所述旋轉(zhuǎn)裝置樞轉(zhuǎn)安裝于腔體(11)的頂部,所述旋轉(zhuǎn)裝置放置有基片;
坩堝(4),所述坩堝(4)設(shè)于旋轉(zhuǎn)裝置的下方,所述坩堝(4)設(shè)置有多個(gè),所述坩堝(4)放置有靶材;
電子槍(5),所述電子槍(5)設(shè)于腔體(11)內(nèi),所述電子槍(5)可對(duì)靶材施加高溫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述電子槍(5)設(shè)于腔體(11)的一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)裝置包括旋轉(zhuǎn)電機(jī)(20)以及設(shè)于旋轉(zhuǎn)電機(jī)(20)的基座(2),所述基座(2)設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的固定器(21),所述基片放置于固定器(21)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述固定器(21)的外圍設(shè)有行星盤(3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述固定器(21)呈弧形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述坩堝(4)放置有不同金屬材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述腔體設(shè)有開口(12),所述開口(12)樞轉(zhuǎn)安裝有開關(guān)門(13)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束蒸發(fā)臺(tái),其特征在于,所述箱體(1)的一側(cè)還設(shè)有控制裝置。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





