[實用新型]InSb敏感元、InSb光電紅外傳感器及探測器有效
| 申請號： | 202021006090.2 | 申請日： | 2020-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN212230437U | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 古瑞琴;郭海周;楊志博;高勝國;田勇;鐘克創;張小水 | 申請（專利權）人： | 鄭州煒盛電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0203 | 分類號： | H01L31/0203;H01L31/0304;H01L31/09 |
| 代理公司： | 鄭州德勤知識產權代理有限公司 41128 | 代理人： | 武亞楠 |
| 地址： | 450001 河南省*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | insb 敏感 光電 紅外傳感器 探測器 | ||
1.一種InSb敏感元，其特征在于：所述InSb敏感元包括底托、至少一個InSb單晶片和至少一組導電電極；
所述InSb單晶片上表面兩端分別設置所述導電電極，所述導電電極與InSb單晶片接觸連接；
所述InSb單晶片下表面粘貼在所述底托的下沉槽中。
2.根據權利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述導電電極與所述InSb單晶片之間還設置過渡層。
3.根據權利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述InSb單晶片的厚度為5至80μm。
4.根據權利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述InSb單晶片的尺寸為3mm*5mm或者2mm*4mm。
5.根據權利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述導電電極采用銀、鉑、鉻、鎳鉻合金或者金制成。
6.一種InSb光電紅外傳感器，其特征在于：包括管帽、管座、紅外濾光片和權利要求1至5任一項所述的InSb敏感元；至少一個紅外濾光片貼裝在所述管帽上，所述管帽和所述管座密封連接，構成檢測腔；
至少一個InSb敏感元設置在所述管座上，所述InSb敏感元的導電電極通過引線與所述管座的引腳連接點連接，以實現檢測信號的傳輸。
7.根據權利要求6所述的InSb光電紅外傳感器，其特征在于：所述管帽上設置有兩個紅外濾光片，所述管座上設置有包含兩個InSb單晶片和兩組導電電極的InSb敏感元；每個InSb敏感元的導電電極均通過引線與所述管座的管腳連接。
8.根據權利要求6所述的InSb光電紅外傳感器，其特征在于：所述管帽上設置有兩個紅外濾光片，所述管座上設置有兩個InSb敏感元，每個InSb敏感元設置一個InSb單晶片和一組導電電極；每個InSb敏感元的導電電極均通過引線與所述管座的管腳連接。
9.根據權利要求6至8任一項所述的InSb光電紅外傳感器，其特征在于：所述紅外濾光片呈倒T型結構。
10.一種光電紅外探測器，包括PCB板和匹配電路，其特征在于：還包括權利要求6至9任一項所述的InSb光電紅外傳感器，所述InSb光電紅外傳感器設置在所述PCB板上；所述InSb光電紅外傳感器的管腳與匹配電路連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
