[實用新型]一種InSb敏感元及無引線InSb光電紅外傳感器及探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202021006089.X | 申請日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN212434635U | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 古瑞琴;郭海周;楊志博;高勝國;田勇;鐘克創(chuàng);張小水 | 申請(專利權(quán))人: | 鄭州煒盛電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0304;H01L31/09 |
| 代理公司: | 鄭州德勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41128 | 代理人: | 武亞楠 |
| 地址: | 450001 河南省*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 insb 敏感 引線 光電 紅外傳感器 探測器 | ||
1.一種InSb敏感元,其特征在于:所述InSb敏感元包括底托、至少一個InSb單晶片和至少一組導(dǎo)電電極;
所述底托的下沉槽底部設(shè)置有所述InSb單晶片;所述InSb單晶片上設(shè)置有所述導(dǎo)電電極,所述導(dǎo)電電極與所述InSb單晶片接觸連接;
所述底托上表面設(shè)置導(dǎo)電漿線路,所述導(dǎo)電漿線路設(shè)置在所述導(dǎo)電電極與管座的引腳連接點之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb敏感元,其特征在于:所述導(dǎo)電電極與所述InSb單晶片之間還設(shè)置過渡層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb敏感元,其特征在于:所述InSb單晶片的厚度為5至80μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb敏感元,其特征在于:所述InSb單晶片的尺寸為3mm*5mm或者2mm*4mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb敏感元,其特征在于:所述導(dǎo)電電極采用銀、鉑、鉻、鎳鉻合金或者金制成。
6.一種無引線InSb光電紅外傳感器,其特征在于:包括管帽、管座、紅外濾光片和權(quán)利要求1至5任一項所述的InSb敏感元;至少一個紅外濾光片貼裝在所述管帽上,所述管帽和所述管座密封連接,構(gòu)成檢測腔;
至少一個InSb敏感元設(shè)置在所述管座上,所述InSb敏感元的導(dǎo)電電極通過導(dǎo)電漿線路連接所述管座的引腳連接點,以實現(xiàn)檢測信號的傳輸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無引線InSb光電紅外傳感器,其特征在于:所述紅外濾光片呈倒T型結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無引線InSb光電紅外傳感器,其特征在于:所述管帽上設(shè)置有兩個紅外濾光片,所述管座上設(shè)置有包含兩個InSb單晶片和兩組導(dǎo)電電極的InSb敏感元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的無引線InSb光電紅外傳感器,其特征在于:
兩個InSb單晶片的一端通過其中兩個導(dǎo)電電極連接所述管座的同一引腳連接點,兩個InSb單晶片的另一端通過另兩個導(dǎo)電電極連接所述管座的不同引腳連接點;
或,兩個InSb單晶片不共用所述管座的引腳連接點。
10.一種光電紅外探測器,包括PCB板和匹配電路,其特征在于:還包括權(quán)利要求6至9任一項所述的無引線InSb光電紅外傳感器,所述無引線InSb光電紅外傳感器設(shè)置在所述PCB板上;所述無引線InSb光電紅外傳感器的管腳與匹配電路連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





