[實用新型]一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構有效
| 申請號: | 202021000962.4 | 申請日: | 2020-06-04 | 
| 公開(公告)號: | CN212010584U | 公開(公告)日: | 2020-11-24 | 
| 發明(設計)人: | 白華 | 申請(專利權)人: | 武漢奇克微電子技術有限公司 | 
| 主分類號: | H01C17/242 | 分類號: | H01C17/242;H01C7/00 | 
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 | 
| 地址: | 430000 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 電阻 高頻 噪聲 結構 | ||
本實用新型公開了一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構,包括電阻膜,電阻膜開設有L型切口、U型切口和J型切口,電阻膜靠近L型切口中部開設有第一弧度,電阻膜靠近L型切口一端開設有第二弧度,電阻膜靠近U型切口底部兩側開設有第三弧度和第四弧度,電阻膜靠近J型切口底部開設有第五弧度,電阻膜靠近J型切口一端開設有第六弧度,第三弧度和第四弧度設計相同,且對稱分布在電阻膜上的U型切口兩側。該改善電阻高頻噪聲的調阻結構,通過設置的第一弧度、第二弧度、第三弧度等,通過控制激光切口在電阻膜上的轉角以一定的弧度轉角,而非90直角轉角,同時保持切口邊緣光滑,刻痕底部干凈,能夠以達到最大程度的降低電阻的高頻噪聲。
技術領域
本實用新型涉及厚、薄膜電阻的激光調阻技術領域,具體為一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構。
背景技術
近年來,隨著電子信息技術的快速發展,A/D、D/A轉換電路及其它線性或非線性電路的發展日新月異,其中以薄膜電阻網絡為核心的高精度運算放大器和高精度的A/D、D/A轉換電路是必不可少的。為了提高ADC和DAC的精度和分辨率,薄膜電阻的性能也必須有相應的提高。
激光調阻方式一般有單刀、雙刀、蛇形、“L”型等切阻方式。用這些切割方式調阻后的電阻,在低頻或模擬電路應用環境下,電阻器使用正常,對電路的性能參數影響很小,可忽略不計。但在高頻應用電路中,電阻的噪聲干擾就必須得考慮,因為嚴重的電阻噪聲會影響到電路的性能,甚至會造成電路失效。實驗發現,電阻高頻噪聲主要來源于電阻體上變化比較銳利的部位,比如“L”形切口、“U”型切口和“J”型切口的直角轉角位置,且安裝結構容易脫焊,不大穩定,因而需要進行改進。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構,包括電阻膜,所述電阻膜開設有L型切口、U型切口和J型切口,所述電阻膜靠近L型切口中部開設有第一弧度,所述電阻膜靠近L型切口一端開設有第二弧度,所述電阻膜靠近U型切口底部兩側開設有第三弧度和第四弧度,所述電阻膜靠近J型切口底部開設有第五弧度,所述電阻膜靠近J型切口一端開設有第六弧度。
優選的,所述第三弧度和第四弧度設計相同,且對稱分布在電阻膜上的U型切口兩側。
優選的,所述電阻膜頂部固定連接保護膜,所述電阻膜底部固定連接陶瓷基體,所述電阻膜、保護膜和陶瓷基體兩側固定連接第一外電極和第二外電極內側。
優選的,所述陶瓷基體底部在第一外電極和第二外電極固定連接墊片,所述第一外電極和第二外電極底部固定連接第一安裝塊和第二安裝塊頂部,所述第一安裝塊底部開設有安裝凸條槽,所述第一安裝塊底部靠近安裝凸條槽固定連接安裝凸條。
優選的,所述第一外電極和第二外電極外形均為凵字形,且電阻膜、保護膜和陶瓷基體分布在第一外電極和第二外電極凵字形內部。
優選的,所述第一安裝塊和第二安裝塊設計相同,所述第二安裝塊設置有安裝凸條和安裝突條槽,所述安裝凸條與第一安裝塊和第二安裝塊一體成型。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
1、該一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構,通過設置的第一弧度、第二弧度、第三弧度等,通過控制激光切口在電阻膜上的轉角以一定的弧度轉角,而非90直角轉角,同時保持切口邊緣光滑,刻痕底部干凈,能夠以達到最大程度的降低電阻的高頻噪聲。
2、該一種改善電阻高頻噪聲的調阻結構,通過設置的第一安裝塊、第二安裝塊、墊塊等,能夠在通過第一外電極和第二外電極配合錫焊固定在電路板上時,同時通過安裝凸條和安裝凸條槽的波浪形結構,能夠使得錫焊時緊緊的填充進安裝凸條槽內達到穩定的電性連接。
附圖說明
圖1為本實用新型立體結構示意圖;
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