[實用新型]天線和多頻帶天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020964980.8
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN212011257U
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設計）人: 陳長富;陳海燕;郭鵬斐;吳潤苗
• 申請（專利權(quán)）人: 康普技術(shù)有限責任公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/00;H01Q19/10
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 田菁

1.一種天線，包括：

反射器，包括前側(cè)，所述前側(cè)包括第一區(qū)域和不與所述第一區(qū)域重疊的第二區(qū)域；

第一列輻射元件，包括至少一個第一輻射元件，所述第一輻射元件位于所述反射器的前側(cè)并被配置為發(fā)出第一頻帶內(nèi)的電磁輻射，所述第一列輻射元件被安裝以從所述第一區(qū)域向前延伸；以及

降反射部件，被安裝在所述第二區(qū)域的前方，

其中，所述降反射部件被配置為被所述降反射部件反射的所述第一頻帶內(nèi)的電磁輻射弱于被所述反射器的第一區(qū)域反射的所述第一頻帶內(nèi)的電磁輻射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述降反射部件包括針對所述第一頻帶內(nèi)的電磁輻射的吸收材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述降反射部件在所述第一頻帶內(nèi)的第一阻抗高于所述反射器的第一區(qū)域在所述第一頻帶內(nèi)的第二阻抗，以使得所述第一頻帶內(nèi)的電磁輻射在所述降反射部件中激勵出的表面電流弱于其在所述反射器的第一區(qū)域中激勵出的表面電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，

所述第一區(qū)域具有沿所述天線的縱向延伸的第一邊界，所述第一邊界與所述至少一個第一輻射元件的相位中心之間的橫向距離為所述第一頻帶的中心頻率所對應的波長的0.3～0.6倍，以及

所述第二區(qū)域從所述第一邊界遠離所述第一區(qū)域地橫向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，

所述第一區(qū)域具有沿所述天線的縱向延伸的第一邊界，所述第一邊界與所述至少一個第一輻射元件的相位中心之間的橫向距離為所述第一頻帶的中心頻率所對應的波長的0.2～0.3倍，

所述第二區(qū)域從所述第一邊界遠離所述第一區(qū)域地橫向延伸，以及

所述天線還包括位于所述第一邊界處、從所述反射器向前延伸的導電元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第二區(qū)域的長度與所述第一區(qū)域的長度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述第二區(qū)域延伸整個所述反射器的長度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述反射器的前側(cè)還包括第三區(qū)域，所述天線還包括：

第二列輻射元件，包括被配置為發(fā)出第二頻帶內(nèi)的電磁輻射的至少一個第二輻射元件，所述第二列輻射元件被安裝為從所述反射器的前側(cè)的所述第三區(qū)域向前延伸并與所述第一列輻射元件相鄰，

其中，所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域不重疊并且所述第二區(qū)域位于所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述反射器的前側(cè)還包括第三區(qū)域，所述天線還包括：

第二列輻射元件，包括被配置為發(fā)出第二頻帶內(nèi)的電磁輻射的至少一個第二輻射元件，所述第二列輻射元件被安裝為從所述反射器的前側(cè)的所述第三區(qū)域向前延伸并與所述第一列輻射元件相鄰，其中，

所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域重疊，并且

所述降反射部件還被配置為對所述第二頻帶內(nèi)的電磁輻射的反射與所述反射器的第三區(qū)域?qū)λ龅诙l帶內(nèi)的電磁輻射的反射基本相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線，其特征在于，所述降反射部件與所述第二區(qū)域形成電磁帶隙結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的天線，其特征在于，所述降反射部件包括：

導體單元陣列，包括相互之間基本等間隔地排列成陣列的多個導體單元，每個導體單元包括彼此電連接的容性元件和感性元件，以使得所述導體單元陣列在所述第一頻帶內(nèi)具有比所述反射器的第一區(qū)域更高的阻抗。