[實用新型]一種用于區熔爐的單晶夾持裝置

有效

• 申請號: 202020943599.3
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN212533192U
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 葉鋼飛;胡建榮;倪軍夫;阮文星;姜耀天;毛志飛;傅林堅;曹建偉
• 申請（專利權）人: 浙江晶盛機電股份有限公司
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B29/06
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 周世駿

本實用新型設計單晶硅加工設備，特別設計一種用于區熔爐的單晶夾持裝置。包括夾持器本體；夾持器本體設于夾持器底盤上端面中心，夾持器本體包括圓筒和設于圓筒頂端外的環形結構，夾持器底盤中心對應開有通孔用于晶棒的穿出；夾持器本體的環形結構頂端外沿上沿周向均勻設有三個導向孔，每個導向孔內各設有一個導向桿，夾持擋片分別設于導向桿頂端；提升機構包括設于夾持器底盤上的固定座，固定座靠近夾持器本體側為斜面結構，滑輪通過旋轉軸設于固定座頂端；滑塊設于斜面上，滑塊一端通過鋼絲繩與滑輪相連，滑塊另一端設有擋板。本實用新型通過調整夾持器底盤的高度，從而使鋼絲繩拉動滑塊帶動導桿從而帶動夾持擋片自由伸縮，使夾持可往復運動。

技術領域

本實用新型設計單晶硅加工設備，特別設計一種用于區熔爐的單晶夾持裝置。

背景技術

區熔法生長硅單晶是通過在氬氣氣氛或真空中用高頻加熱線圈對多晶硅料進行加熱，使其熔融后與下方的籽晶接觸，按籽晶晶向結構生長成高純度硅單晶的方法。懸浮區熔時，熔區呈懸浮狀態，不予任何物質相接觸，因而不會被污染。此外，由于硅中雜質的分凝效果和蒸發效果，因此所獲得的單晶硅純度非常高。

但也正是由于區熔法生長硅單晶時區熔呈懸浮狀態，多晶硅料或單晶硅的任何微小振動都有可能打破熔區的平衡狀態，從而導致單晶生長的失敗。

區熔爐生長硅單晶的過程一般為：引晶—生長細徑—放肩—等徑—拉斷。在單晶生長的前三個階段，晶體直徑隨生長過程的進行逐步增大，形成一個錐形體結構。待到晶體直徑生長到某一特性值時，晶體生長進入等徑階段，即晶體直徑保持定值生長。在單晶生長的前三個階段，任何微小的振動都可能導致拉晶失敗。因此當前三階段在不打開爐腔的前提下，切斷細頸或籽晶，晶體夾持裝置可再次工作尤為重要。傳統的夾持機構不能實現切斷后再次夾持單晶的要求。

實用新型內容

本發明要解決的技術問題是，克服現有技術中的不足，提供一種用于區熔爐的單晶夾持裝置。

為解決上述技術問題，本發明采用的解決方案是：

提供一種用于區熔爐的單晶夾持裝置，包括夾持器本體、夾持擋片和提升機構；

夾持器本體設于夾持器底盤上端面中心，夾持器本體包括底部的圓筒和設于套設于圓筒頂端外的環形結構，夾持器底盤中心對應開有通孔用于晶棒的穿出；夾持器本體的環形結構頂端外沿上沿周向均勻設有三個導向孔，每個導向孔內各設有一個導向桿，夾持擋片有三個，分別設于導向桿頂端；

提升機構有三組，對應設于每個夾持擋片旁側的夾持器底盤上，提升機構包括設于夾持器底盤上的固定座，固定座靠近夾持器本體側為斜面結構，滑輪通過旋轉軸設于固定座頂端；滑塊設于斜面上，滑塊一端通過鋼絲繩與滑輪相連，滑塊另一端設有擋板，擋板能在滑塊的帶動下接觸并支撐導向桿。

作為一種改進，夾持擋片是一個圓片，其前端沿弧線切割并呈現兩個銳角狀的夾持部位。

作為一種改進，固定座斜面結構上部還設有蓋板，用于固定座的防護和滑塊的限位。

作為一種改進，導向孔與垂直線之間夾角為15°～30°。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

本實用新型由圓片改為圓片除去一個圓角，使原來的三點夾持變為六點夾持，使夾持更穩定。通過調整夾持器底盤的高度，從而使鋼絲繩拉動滑塊帶動導桿從而帶動夾持擋片自由伸縮，使夾持可往復運動。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為本實用新型中提升機構的剖視圖。

附圖標記：1-夾持擋片、2-提升機構；21-固定座；22-滑輪；23-蓋板；24-滑塊；3-夾持器本體；4-夾持器底盤。

具體實施方式