[實用新型]存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020935812.6
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN211789013U
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張欽福;林昭維;朱家儀;樸成;童宇誠
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

多條位線，所述位線形成在所述襯底上并沿著第一方向延伸，以及多條所述位線沿著第二方向依次排布，相鄰的位線之間界定出沿著第一方向延伸的凹槽，并且所述凹槽還具有內(nèi)陷至所述襯底中的下溝槽；

多個接觸插塞，形成在所述凹槽中并沿著所述位線的延伸方向依次排布；以及，

多個隔離柱，形成在所述凹槽中，并位于相鄰的接觸插塞之間，并且所述隔離柱的底部還填充所述下溝槽，以分隔位于同一凹槽中且相鄰的接觸插塞。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底中形成有多個有源區(qū)，所述有源區(qū)中形成有第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)；

其中，相鄰的位線之間對應(yīng)有所述有源區(qū)的所述第二源/漏區(qū)，并使所述凹槽的部分下溝槽內(nèi)陷至所述第二源/漏區(qū)中，所述接觸插塞至少填充所述部分下溝槽以和所述第二源/漏區(qū)電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲器，其特征在于，相鄰的位線之間對應(yīng)有多個第二源/漏區(qū)，所述多個第二源/漏區(qū)沿著所述位線的延伸方向依次排布，以及相鄰位線之間的多個接觸插塞一一對應(yīng)形成在所述多個第二源/漏區(qū)上。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述位線與相應(yīng)的有源區(qū)相交，并使相應(yīng)的有源區(qū)中的第二源/漏區(qū)電性連接至所述位線。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述襯底中還形成有多條沿著第二方向延伸的字線，所述字線形成在襯底中的字線溝槽內(nèi)，并且所述字線的頂部位置不高于所述字線溝槽的頂部位置，以及在所述字線溝槽高于所述字線的上方空間中還填充有字線遮蔽層；

其中，所述凹槽部分位于所述字線的上方，并使所述凹槽中對應(yīng)于所述字線的部分下溝槽內(nèi)陷至所述字線遮蔽層中。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述隔離柱至少形成在所述字線的正上方，并使所述隔離柱的底部填充至所述字線遮蔽層中。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線包括位線導(dǎo)電部、位線遮蔽層和隔離側(cè)墻，其中所述位線導(dǎo)電部形成在所述襯底上，所述位線遮蔽層覆蓋所述位線導(dǎo)電部的頂表面，以及所述隔離側(cè)墻至少覆蓋所述位線導(dǎo)電部的側(cè)壁。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述隔離柱為以所述位線作為研磨停止層執(zhí)行化學機械研磨工藝形成，以使所述隔離柱的頂表面和所述位線的頂表面齊平，并且所述接觸插塞的頂表面低于所述位線的頂表面。