[實(shí)用新型]壓接型IGBT局部放電模擬裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020931837.9 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN212723183U | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 祝令瑜;劉琛碩;汲勝昌;占草;劉占磊;侯婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué);南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人： | 任少瑞 |
| 地址： | 710001 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓接型 igbt 局部 放電 模擬 裝置 | ||
本申請涉及一種壓接型IGBT局部放電模擬裝置。所述壓接型IGBT局部放電模擬裝置包括：箱體，具有一容納腔；模擬樣件，設(shè)置于所述容納腔，所述模擬樣件的材料與待模擬IGBT的絕緣層的材料相同；高壓電極，設(shè)置于所述容納腔；接地電極，設(shè)置于所述容納腔，與所述高壓電極間隔設(shè)置，高壓電極和接地電極中的至少一個與所述模擬樣件接觸；高壓電源，與所述高壓電極電連接，用于向所述高壓電極提供高壓電。本申請?zhí)峁┑膲航有虸GBT局部放電模擬裝置能夠?qū)崿F(xiàn)壓接型IGBT局部放電的模擬。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電路領(lǐng)域，特別是涉及壓接型IGBT局部放電模擬裝置。
背景技術(shù)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由 BJT((Bipolar Junction Transistor，雙極結(jié)晶晶體管)和MOS(Metal Oxide Semiconductor，絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域的電力設(shè)備。
IGBT分為焊接型IGBT和壓接型IGBT。IGBT內(nèi)部電氣絕緣缺陷會導(dǎo)致局部放電，局部放電會對電力設(shè)備造成損害，因此，對于IGBT局部放電特性的研究至關(guān)重要。然而，傳統(tǒng)技術(shù)中缺乏對IGBT局部放電進(jìn)行模擬的裝置，尤其是缺乏壓接型IGBT局部放電模擬裝置。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于此，提供一種壓接型IGBT局部放電模擬裝置。
一種壓接型IGBT局部放電模擬裝置，包括：
箱體，具有一容納腔；
模擬樣件，設(shè)置于所述容納腔，所述模擬樣件的材料與待模擬IGBT的絕緣層的材料相同；
高壓電極，設(shè)置于所述容納腔；
接地電極，設(shè)置于所述容納腔，與所述高壓電極間隔設(shè)置，所述高壓電極和所述接地電極中的至少一個與所述模擬樣件接觸；
高壓電源，與所述高壓電極電連接，用于向所述高壓電極提供高壓電。
在其中一個實(shí)施例中，所述模擬樣件具有第一表面，所述高壓電極和所述接地電極均與所述第一表面接觸，所述壓接型IGBT局部放電模擬裝置還包括：
橫向調(diào)節(jié)組件，設(shè)置于所述箱體，與所述高壓電極和/或所述接地電極連接，用于調(diào)節(jié)所述高壓電極與所述接地電極之間的距離。
在其中一個實(shí)施例中，所述橫向調(diào)節(jié)組件包括：
第一調(diào)節(jié)塊，設(shè)置于所述容納腔，位于所述高壓電極遠(yuǎn)離所述模擬樣件的一側(cè)，并與所述高壓電極連接；
第一調(diào)節(jié)桿，穿設(shè)于所述箱體，并與所述第一調(diào)節(jié)塊連接。
在其中一個實(shí)施例中，所述橫向調(diào)節(jié)組件還包括：
第二調(diào)節(jié)塊，設(shè)置于所述容納腔，位于所述接地電極遠(yuǎn)離所述模擬樣件的一側(cè)，并與所述接地電極連接；
第二調(diào)節(jié)桿，穿設(shè)于所述箱體，并與所述第二調(diào)節(jié)塊連接。
在其中一個實(shí)施例中，所述壓接型IGBT局部放電模擬裝置還包括：
第一壓緊組件，設(shè)置于所述容納腔，所述第一壓緊組件穿過所述第一調(diào)節(jié)塊抵接于所述高壓電極，并朝所述模擬樣件的方向擠壓所述高壓電極；
第二壓緊組件，設(shè)置于所述容納腔，所述第二壓緊組件穿過所述第二調(diào)節(jié)塊抵接于所述接地電極，并朝所述模擬樣件的方向擠壓所述接地電極。
在其中一個實(shí)施例中，所述高壓電極為針狀電極或球狀電極，所述接地電極為板狀電極；
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