[實用新型]相變存儲器以及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020921710.9
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN212542479U
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: P·波伊文;D·貝努瓦;R·貝特隆
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司;意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種相變存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

晶體管，在所述襯底上；

第一絕緣層，在所述晶體管上；

導(dǎo)電過孔，延伸穿過所述第一絕緣層；

第二絕緣層，在所述第一絕緣層上；

電阻元件，在所述導(dǎo)電過孔上，所述電阻元件延伸穿過所述第二絕緣層；

相變材料層，在所述電阻元件上；

導(dǎo)電層，在所述相變材料層上；

第三絕緣層，在所述導(dǎo)電層上；

開口，在所述第三絕緣層中，所述開口直接覆蓋所述相變材料層；以及

第四絕緣層，在所述開口中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲器，其特征在于，所述開口包括：

第一部分，具有由所述導(dǎo)電層形成的第一基底，以及由所述第三絕緣層形成的第一側(cè)壁，以及

第二部分，具有由所述第一絕緣層形成的第二基底，以及由所述電阻元件、所述相變材料層和所述導(dǎo)電層形成的第二側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲器，其特征在于，所述第四絕緣層在所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲器，其特征在于，進一步包括：

在所述開口中的導(dǎo)電接觸。

5.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

襯底；以及

多個存儲器單元，在所述襯底上，所述多個存儲器單元中的每個存儲器單元包括：

晶體管，在所述襯底上；

第一絕緣層，在所述晶體管上；

導(dǎo)電過孔，電耦合到所述晶體管并延伸穿過所述第一絕緣層；

第二絕緣層，在所述第一絕緣層上；

位線，包括：

電阻元件，在所述導(dǎo)電過孔上并延伸穿過所述第二絕緣層；

相變材料帶，在所述電阻元件上；以及

導(dǎo)電材料帶，在所述相變材料帶上；

第三絕緣層，在所述導(dǎo)電材料帶上；

導(dǎo)電接觸，在所述導(dǎo)電材料帶上并延伸穿過所述第三絕緣層；以及

第四絕緣層，所述導(dǎo)電接觸通過所述第四絕緣層與所述第三絕緣層間隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其特征在于，

所述導(dǎo)電接觸的一部分被定位在所述電阻元件、所述相變材料帶和所述導(dǎo)電材料帶的側(cè)面，以及

所述導(dǎo)電接觸的所述一部分通過所述第四絕緣層與所述電阻元件、所述相變材料帶和所述導(dǎo)電材料帶間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電阻元件包括在第一方向上延伸的第一部分，以及在與所述第一方向橫切的第二方向上延伸的第二部分。