[實(shí)用新型]薄膜體聲波諧振器及無線通信裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020921700.5 | 申請日： | 2020-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN213717943U | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/56 | 分類號： | H03H9/56;H03H9/19 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 畢曉萌 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 聲波 諧振器 無線通信 裝置 | ||
1.一種無線通信裝置，其特征在于，所述無線通信裝置包括天線、薄膜體聲波諧振器，所述天線與所述薄膜體聲波諧振器連接；
所述天線用于接收和發(fā)送無線信號；
所述薄膜體聲波諧振器包括：
襯底，所述襯底一側(cè)設(shè)置有凹槽；
支撐層，所述支撐層設(shè)置在所述凹槽開口一側(cè)，覆蓋所述襯底未設(shè)置凹槽的區(qū)域；
底電極，設(shè)置在所述凹槽開口一側(cè)，所述底電極朝向所述凹槽一側(cè)與所述凹槽兩側(cè)的支撐層連接，壓電薄膜、頂電極依次疊置于所述底電極遠(yuǎn)離所述凹槽一側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的無線通信裝置，其特征在于，所述襯底為高阻單晶硅，所述凹槽的深度為800nm～2μm。
3.如權(quán)利要求1所述的無線通信裝置，其特征在于，所述支撐層為Si3N4，所述支撐層的厚度為100nm～2μm。
4.如權(quán)利要求1所述的無線通信裝置，其特征在于，所述壓電薄膜的厚度為100nm～2μm。
5.如權(quán)利要求4所述的無線通信裝置，其特征在于，所述壓電薄膜由AlN組成，厚度為1.2μm。
6.如權(quán)利要求1所述的無線通信裝置，其特征在于，所述頂電極和所述底電極的厚度均為40nm～450nm。
7.如權(quán)利要求6所述的無線通信裝置，其特征在于，所述頂電極和所述底電極由Mo組成，厚度均為300nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣州市艾佛光通科技有限公司，未經(jīng)廣州市艾佛光通科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020921700.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
