[實用新型]一種蓋板結(jié)構(gòu)及坩堝爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020920720.0
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN212293847U
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 王全志;陳偉;李林東;唐珊珊;邢國強
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種蓋板結(jié)構(gòu)及坩堝爐。該蓋板結(jié)構(gòu)包括蓋板本體和絕緣層，蓋板本體能夠蓋設于坩堝爐的側(cè)護板上，蓋板本體的厚度沿其徑向由邊緣向中心逐漸減少，蓋板本體的外表面涂覆有絕緣層。本實用新型提供的蓋板結(jié)構(gòu)，由于蓋板本體的厚度沿其徑向由邊緣向中心逐漸減少，減少了蓋板本體中心位置的重量，能夠有效降低蓋板本體的中心位置下陷的現(xiàn)象，可以避免蓋板本體與硅料直接接觸后造成的碳污染的問題，使得鑄造晶體硅材料的純凈度較高；通過在蓋板本體的外表面涂覆絕緣層，可以起到有效的絕緣作用，即使蓋板本體與其上方的加熱器接觸，也不會出現(xiàn)導電打火的現(xiàn)象，保證生產(chǎn)過程的安全性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種蓋板結(jié)構(gòu)及坩堝爐。

背景技術(shù)

太陽能用晶體硅材料主要包括直拉單晶硅和鑄造晶體硅兩種材料，與直拉單晶硅相比，鑄造晶體硅材料具有產(chǎn)量大、成本較低的優(yōu)點，在鑄造晶體硅材料的生產(chǎn)中，通常會使用坩堝爐，如圖1所示，坩堝爐包括石墨底板200、石墨側(cè)護板100和石墨蓋板300，石墨側(cè)護板100設置于石墨底板200的四周，石墨蓋板300蓋設于石墨側(cè)護板100上，石墨底板200、石墨側(cè)護板100和石墨蓋板300三者圍設形成容納硅錠的容納空間，在石墨蓋板300上方還設置有加熱器，加熱器用于為容納空間內(nèi)加熱。

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖2所示，石墨蓋板300較重，經(jīng)過高溫后由于其自身重量原因，且石墨蓋板300的中心位置無材料支撐，容易下陷，造成石墨蓋板300的邊緣位置發(fā)生翹曲，發(fā)生翹曲的部分容易與加熱器接觸，造成導電打火的現(xiàn)象；此外，石墨蓋板300的中心位置下陷，發(fā)生下陷的部分容易與硅料接觸，會使硅料中的碳含量急劇增加，引起硅料的碳污染。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種蓋板結(jié)構(gòu)及坩堝爐，能夠防止蓋板本體的邊緣部分發(fā)生翹曲造成導電打火現(xiàn)象，以及蓋板本體的中心位置下陷造成碳污染現(xiàn)象。

如上構(gòu)思，本實用新型所采用的技術(shù)方案是：

一種蓋板結(jié)構(gòu)，包括：

蓋板本體，所述蓋板本體能夠蓋設于坩堝爐的側(cè)護板上，所述蓋板本體的厚度沿其徑向由邊緣向中心逐漸減少；

絕緣層，所述蓋板本體的外表面涂覆有所述絕緣層。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述蓋板本體遠離所述側(cè)護板的一面與水平面平行。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述蓋板本體靠近所述側(cè)護板的一面為弧形面或者錐面。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述蓋板本體的中心位置的厚度d的范圍為：0.5D≤d≤D，其中D為所述蓋板本體的邊緣位置的厚度。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述絕緣層采用氮化硅材料制成。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述絕緣層的厚度范圍為0.5mm-1mm。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述蓋板本體上開設有多個通孔，多個所述通孔呈陣列分布于所述蓋板本體上。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述蓋板本體遠離所述側(cè)護板的一面設置有凹凸結(jié)構(gòu)。

作為一種蓋板結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，所述凹凸結(jié)構(gòu)呈波浪形。

為達上述目的，本實用新型還提供一種坩堝爐，包括側(cè)護板和如以上任一方案所述的蓋板結(jié)構(gòu)，所述蓋板結(jié)構(gòu)蓋設于所述側(cè)護板上。

本實用新型的有益效果為：