[實用新型]化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構及化學鎳鈀金的鎳缸

有效

• 申請號: 202020913792.2
• 申請日: 2020-05-25
• 公開（公告）號: CN212894970U
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 盧意鵬;許國軍;劉高飛;許香林;吳運會
• 申請（專利權）人: 深圳市溢誠電子科技有限公司
• 主分類號: C23C18/32
• 分類號: C23C18/32;C23C18/16
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳彩霞

本實用新型涉及一種化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構和化學鎳鈀金的鎳缸，該化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構包括依次連接的進液管、循環泵(2)和出液管(3)，所述出液管(3)的出口端連接有出液裝置，該出液裝置包括旋轉噴頭(31)和若干位于所述旋轉噴頭(31)周向上的出液支管(32)，所述出液支管(32)的底部設有若干出液孔，所述進液管上設有若干進液孔。本實用新型的循環管道結構可將位于下面的鍍液提升至上方，并通過旋轉噴頭使其均勻分散，進而提升鍍液的均勻性，使得被鍍鎳的產品厚度均勻，進而提升良品率。

技術領域

本實用新型涉及化學鍍設備，具體地，涉及一種化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構。此外，本實用新型還涉及一種包含該化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構的鎳缸。

背景技術

印制電路板表面焊盤是其線路與外部元器件連接的端點，印制電路板表面焊盤都是銅導體，須進行表面涂覆處理以保護連接盤銅面不被污染和氧化，保證元器件焊接可靠性。化學鍍鎳浸金(ENIG)因其鍍層平整度高、耐磨性好且接觸電阻低等優越性能，被廣泛應用于精密電子產品的印刷電路板的表面處理和微電子芯片與電路板的封裝技術中。但ENIG涂層在焊接過程中會出現黑盤(鎳氧化物)缺陷，發生連接可靠性問題。有關化學鍍鎳浸金的黑盤問題，解釋是銅基底的連接盤化學鍍鎳后進入浸金液，浸金過程是置換反應，鎳層有局部溶解被金液腐蝕，在鎳與金界面產生金屬間化合物，并殘留于這界面，另外鎳缸溶液的本身離子污染也會導致鎳層氧化變黑。因此，羅門哈斯電子材料公司、安美特、上村化工以及樂思化學等廠家推出了化學鎳鈀金表面處理溶液，這項新的連接盤最終表面涂飾處理方法稱為化學鍍鎳化學鍍鈀與浸金，簡稱化學鎳鈀金(ENEPIG)，它是在連接盤銅面上先后沉積鎳、鈀和金。

ENEPIG相較ENIG流程設計上雖然僅是在鎳缸和金缸之間添加一個鈀缸，但是各流程均需要嚴格管控才能生產出合格產品。現有技術中，在化學鍍鎳過程，鎳缸的循環管道過于簡單，只有一進一出，鍍液的均勻性差，導致被鍍鎳的產品厚度不均勻，次品率高。此外，鍍液溫度也需要控制，溫度過高會導致鍍液活性過強，造成滲鍍，而且阻焊油墨會收到鍍鎳液的攻擊，結合力下降，溫度過低會導致鍍液活性不夠，造成漏鍍。

因此，需要對現有的鎳缸的循環管道進行改進。

實用新型內容

本實用新型一方面所要解決的問題是提供一種化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構，該循環管道結構能夠提高鍍液均勻性，使得被鍍鎳的產品厚度均勻，進而提升良品率。

本實用新型另一方面所要解決的問題是提供一種化學鎳鈀金的鎳缸，該鎳缸能夠提高鍍液均勻性，使得被鍍鎳的產品厚度均勻，進而提升良品率。

為了實現上述目的，本實用新型一方面提供一種化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構，該化學鎳鈀金的鎳缸循環管道結構包括依次連接的進液管、循環泵和出液管，所述出液管的出口端連接有出液裝置，該出液裝置包括旋轉噴頭和若干位于所述旋轉噴頭周向上的出液支管，所述出液支管的底部設有若干出液孔，所述進液管上設有若干進液孔。

優選地，靠近所述旋轉噴頭處的所述出液孔的直徑小于遠離所述旋轉噴頭處的所述出液孔的直徑；或者

靠近所述旋轉噴頭處的所述出液孔的分布密度小于遠離所述旋轉噴頭處的所述出液孔的分布密度。

優選地，所述出液支管為直管或者彎管。

優選地，所述進液管內安裝有過濾板。

進一步優選地，所述進液管包括進液支管和進液總管，所述進液支管的直徑小于所述進液總管的直徑，所述過濾板安裝在所述進液總管中。

更進一步地，所述進液總管上靠近過濾板處安裝有端蓋。

優選地，所述進液管內、所述過濾板后或者所述出液管內設有加熱裝置，所述出液管內設有出液溫度傳感器。