[實用新型]一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020851591.4 | 申請日： | 2020-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN212086072U | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉龍球;陳宇;秦宗民;顧少成;劉猛;胡扶遙 | 申請（專利權(quán)）人： | 黃石東貝電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H02M5/458 | 分類號： | H02M5/458;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 徐瑛 |
| 地址： | 435003 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mosfet igbt 并聯(lián) 應用 變頻 控制器 | ||
1.一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，包括整流濾波模塊、逆變模塊和控制模塊；所述整流濾波模塊的輸入端連接交流電源，輸出端與逆變模塊的輸入端連接；所述逆變模塊的輸出端連接電動機；所述控制模塊與逆變模塊的信號端連接，用于提供開關(guān)信號；其特征在于，所述逆變模塊設有三組，三組所述逆變模塊分別與電動機的三相交流電源輸入端連接；每組所述逆變模塊包括兩個并聯(lián)的逆變單元，所述逆變單元包括MOSFET晶體管和IGBT晶體管，所述MOSFET晶體管與IGBT晶體管并聯(lián)；所述逆變模塊的電流路徑根據(jù)IGBT晶體管的通態(tài)壓降與當前電流下MOSFET晶體管的通態(tài)壓降的大小自動選擇。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，其特征在于，所述控制模塊為單片機，所述單片機提供12路PWM信號，分別用于控制6個所述MOSFET晶體管和6個所述IGBT晶體管的通/斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，其特征在于，所述PWM信號包括高低電平信號和時序控制驅(qū)動信號；所述高低電平信號用于控制MOSFET晶體管或IGBT晶體管的通/斷；所述時序控制驅(qū)動信號用于控制MOSFET晶體管延時關(guān)斷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，其特征在于，同組所述逆變模塊中，一個逆變單元導通，另一個逆變單元斷開。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，其特征在于，每個所述逆變單元中的MOSFET晶體管和IGBT晶體管為同時導通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOSFET-IGBT并聯(lián)應用的變頻控制器，其特征在于，三組所述逆變模塊共有8種導通狀態(tài)。
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H02M5-00 交流功率輸入變換為交流功率輸出，例如用于改變電壓、用于改變頻率、用于改變相數(shù)的
H02M5-02 .沒有變換為直流的中級
H02M5-40 .帶有中間變換為直流的
H02M5-42 ..用靜態(tài)變換器的
H02M5-46 ..用動態(tài)變換器的
H02M5-48 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的；由機電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的
