[實用新型]高適應性的低噪聲全差分高壓運算放大器

有效

• 申請號: 202020827104.0
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN211830713U
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 張明;馬學龍;焦煒杰;楊金權;石方敏
• 申請（專利權）人: 潤石芯科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/52;H03F3/45;H03F3/68
• 代理公司: 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369
• 代理人: 章陸一

1.一種高適應性的低噪聲全差分高壓運算放大器，包括輸入級電路、輸出級電路、與所述輸出級電路適配連接的上共源共柵電路以及與所述輸出級電路適配連接的下共源共柵電路；其特征是：

還包括能提供輸入級電路、輸出級電路、上共源共柵電路、下共源共柵電路所需電源的偏置電源電路以及能與偏置電源電路、輸入級電路、下共源共柵電路適配連接的電壓鉗位保護電路；通過偏置電源電路與電壓鉗位保護電路配合能將下共源共柵電路中低壓NMOS器件的漏極電壓鉗位在所述低壓NMOS器件的工作電壓范圍內。

2.根據權利要求1所述的高適應性的低噪聲全差分高壓運算放大器，其特征是：所述輸入級電路包括PMOS管PM20以及PMOS管PM21，所述PMOS管PM20的柵極端與差分輸入信號INP連接，PMOS管PM21的柵極端與差分輸入信號INN連接；

電壓鉗位保護電路包括PMOS管PM32、PMOS管PM33以及與所述PMOS管PM32的柵極端、PMOS管PM33的柵極端連接的恒壓驅動電路，所述恒壓驅動電路與偏置電源電路內的偏置電流源(1)的輸出端連接，通過偏置電流源(1)與恒壓驅動電路能在PMOS管PM32的柵極端、PMOS管PM33的柵極端產生所需的固定驅動電壓；

PMOS管PM32的源極端與PMOS管PM20的漏極端、輸出級電路的一輸入端以及下共源共柵電路中NMOS管NM6的漏極端連接，PMOS管PM33的源極端與PMOS管PM21的漏極端、輸出級電路的另一輸入端以及下共源共柵電路電路中NMOS管NM5的漏極端連接，PMOS管PM32的漏極端以及PMOS管PM33的漏極端均接地；PMOS管PM20的源極端以及PMOS管PM21的源極端與偏置電源電路連接。

3.根據權利要求2所述的高適應性的低噪聲全差分高壓運算放大器，其特征是：所述偏置電源電路包括PMOS管PM5，所述PMOS管PM5的漏極端與PMOS管PM20的源極端以及PMOS管PM21的源極端連接；

所述PMOS管PM5的柵極端與偏置電源電路內PMOS管PM4的柵極端、PMOS管PM1的柵極端、PMOS管PM1的漏極端、NMOS管NM19的漏極端以及PMOS管PM17的柵極端連接；

PMOS管PM1的源極端、PMOS管PM2的源極端、PMOS管PM3的源極端以及上共源共柵電路內的PMOS管PM16的源極端、PMOS管PM18的源極端、PMOS管PM19的源極端均與電壓VDD連接，PMOS管PM2的柵極端與PMOS管PM3的柵極端、PMOS管PM4的漏極端以及NMOS管NM20的漏極端連接；PMOS管PM3的漏極端與PMOS管PM5的源極端連接，PMOS管PM2的漏極端與PMOS管PM4的源極端連接，PMOS管PM19的柵極端與PMOS管PM18的柵極端、PMOS管PM16的柵極端連接、PMOS管PM17的漏極端以及NMOS管NM10的漏極端連接；

所述NMOS管NM19的柵極端、NMOS管NM20的柵極端、NMOS管NM18的柵極端、NMOS管NM17的柵極端、NMOS管NM17的漏極端均與偏置電流源(1)的一輸出端連接，NMOS管NM10的柵極端、NMOS管NM14的柵極端、NMOS管NM15的柵極端、NMOS管NM16的柵極端以及NMOS管NM18的漏極端均與偏置電流源(1)的另一輸出端連接；NMOS管NM18的源極端與NMOS管NM16的漏極端連接，NMOS管NM19的源極端與NMOS管NM15的漏極端連接，NMOS管NM20的源極端與NMOS管NM14的漏極端連接，NMOS管NM10的源極端、NMOS管NM14的源極端、NMOS管NM15的源極端、NMOS管NM16的源極端以及NMOS管NM17的源極端均接地，PMOS管PM18的漏極端以及PMOS管PM19的漏極端與輸出級電路適配連接。