[實用新型]一種新型絕緣柵場效應管

有效

• 申請號: 202020797500.3
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN211980622U
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 劉放承
• 申請（專利權）人: 深圳市晶宇通電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種新型絕緣柵場效應管，包括襯底基片，所述襯底基片的上表面連接有外延層，所述外延層的上表面連接有接觸層。所述接觸層的上表面連接有絕緣層，所述襯底基片與外延層之間設有連接板，所述連接板的內部貫穿連接有一號鎖緊銷和二號鎖緊銷，所述一號鎖緊銷的端頭延伸至外延層的內部，所述二號鎖緊銷的端頭延伸至襯底基片的內部，所述襯底基片的兩側外表面均連接有高度調節機構，所述接觸層的內部嵌設有硅柵，且接觸層的內部連接有注射氧化介質的注料通道，所述絕緣層的內部嵌設有金屬板。本實用新型所述的一種新型絕緣柵場效應管，能夠方便調節效應管的使用高度，且能夠方便向效應管內注入氧化介質。

技術領域

本實用新型涉及電氣器件領域，特別涉及一種新型絕緣柵場效應管。

背景技術

絕緣柵場效應管的種類較多，但應用最多的是MOS管，MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管，它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗，并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化，本方案具體涉及一種新型絕緣柵場效應管；現有的絕緣柵場效應管在使用時不方便調節效應管的使用高度，不方便向效應管內注入氧化介質。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種新型絕緣柵場效應管，可以有效解決背景技術中提出的的問題。

為實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：

一種新型絕緣柵場效應管，包括襯底基片，所述襯底基片的上表面連接有外延層，所述外延層的上表面連接有接觸層。所述接觸層的上表面連接有絕緣層，所述襯底基片與外延層之間設有連接板，所述連接板的內部貫穿連接有一號鎖緊銷和二號鎖緊銷，所述一號鎖緊銷的端頭延伸至外延層的內部，所述二號鎖緊銷的端頭延伸至襯底基片的內部，所述襯底基片的兩側外表面均連接有高度調節機構，所述接觸層的內部嵌設有硅柵，且接觸層的內部連接有注射氧化介質的注料通道，所述絕緣層的內部嵌設有金屬板，且絕緣層的上表面靠近中間位置連接有柵極連接頭，所述絕緣層的上表面靠近一側位置連接有源極連接頭，且絕緣層的上表面靠近另一側位置連接有漏極連接頭。

優選的，所述高度調節機構由連接座、螺紋桿、調節旋鈕、固定板、銜接頭和螺紋槽組成，所述連接座固定于襯底基片的外表面，所述螺紋桿貫穿于連接座的內部，所述調節旋鈕固定于螺紋桿的頂端，所述固定板設置于螺紋桿的底端，所述銜接頭固定于固定板的上表面，且銜接頭套設在螺紋桿的端頭位置，所述螺紋槽開設于連接座的內部，高度調節機構可以調節絕緣柵場效應管的使用高度。

優選的，所述連接座通過螺紋桿和銜接頭與固定板活動連接，可以方便對連接座進行不同高度的支撐。

優選的，所述注料通道由連接槽、密封塞和填充槽組成，所述連接槽開設于接觸層的內部，所述密封塞嵌設于連接槽的端口位置，所述填充槽開設于硅柵的外側，可以方便向絕緣柵場效應管內注入氧化介質。

優選的，所述密封塞的外表面與連接槽的內表面相切。

優選的，所述硅柵與接觸層之間設有導電溝道。

與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：該新型絕緣柵場效應管，通過設置的高度調節機構，能夠方便調節效應管的使用高度，從而能夠方便選擇合適的使用高度，通過設置的注料通道，能夠方便向效應管內注入氧化介質，從而能夠提高效應管泄放電流的能力。

附圖說明

圖1為本實用新型一種新型絕緣柵場效應管的整體結構示意圖；

圖2為本實用新型一種新型絕緣柵場效應管的連接板的結構示意圖；

圖3為本實用新型一種新型絕緣柵場效應管的高度調節機構的結構示意圖。