[實用新型]基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件

有效

• 申請號: 202020792537.7
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN212083723U
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 蔡艷;涂芝娟;汪巍;余明斌
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司;上海功成半導體科技有限公司
• 主分類號: G02B6/12
• 分類號: G02B6/12;G02B6/42
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于，包括：

硅光器件，所述硅光器件包括SOI襯底及基于所述SOI襯底的有源器件結構及無源器件結構，所述有源器件結構具有引出電極，所述引出電極上覆蓋有介質層；

轉接孔及硅穿孔，所述轉接孔自所述介質層貫穿至所述SOI襯底的硅襯底，所述硅穿孔延伸進入所述硅襯底，所述轉接孔及硅穿孔內壁形成有絕緣層，所述轉接孔及硅穿孔內填充有導電層；

接觸孔，自所述介質層貫穿至所述有源器件結構的引出電極；

正面重新布線層，形成于所述介質層上，所述正面重新布線層還填充所述接觸孔，以實現所述有源器件結構的引出電極與所述導電層的電性連接；

第一凸點層，形成于所述正面重新布線層上；

反面重新布線層，形成于所述硅襯底上，所述反面重新布線層與所述導電層電性連接；

第二凸點層，形成于所述反面重新布線層上。

2.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：所述無源器件結構包括光傳輸的波導、耦合器、分束器及偏振旋轉器中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：所述有源器件結構包括調制器及探測器。

4.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：所述轉接孔的直徑大于所述硅穿孔的直徑。

5.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：所述導電層包括：位于所述絕緣層表面的擴散阻擋層、位于所述擴散阻擋層表面的種子層以及填充于所述轉接孔及硅穿孔內的金屬層。

6.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：所述第一凸點層及第二凸點層包括Cu/Ni/Sn疊層或Ni/Au疊層。

7.根據權利要求1所述的基于硅光轉接板技術的硅基光電子器件，其特征在于：還包括共面金屬層，所述共面金屬層位于所述引出孔上并通過所述接觸孔與所述有源器件結構連接，所述共面金屬層用于金屬互連，以及用于形成所述有源器件結構的共面波導傳輸線結構，以提高硅基光電子器件的高頻傳輸性能。