[實用新型]FD-SOI襯底結構及器件結構有效
| 申請號： | 202020792435.5 | 申請日： | 2020-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN211828771U | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發明（設計）人： | 徐大朋;薛忠營;羅杰馨;柴展 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發中心有限公司;上海功成半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 羅泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | fd soi 襯底 結構 器件 | ||
1.一種FD-SOI襯底結構，其特征在于，所述FD-SOI襯底結構包括依次層疊的硅基底、埋氧化層、頂鍺硅層及氮氧化鍺層。
2.根據權利要求1所述的FD-SOI襯底結構，其特征在于：所述的頂鍺硅層的厚度范圍介于60埃米～100埃米之間。
3.根據權利要求1所述的FD-SOI襯底結構，其特征在于：所述氮氧化鍺層的厚度介于5埃米～20埃米之間。
4.根據權利要求1所述的FD-SOI襯底結構，其特征在于：所述埋氧化層為二氧化硅層，其厚度范圍介于100埃米～300埃米之間。
5.一種FD-SOI器件結構，其特征在于，所述FD-SOI器件結構包括：
如權利要求1～4任意一項所述的FD-SOI襯底結構；
柵極結構，位于所述氮氧化鍺層上，包括依次堆疊的柵氧層、高k介質層、氮化鈦層及柵極層，所述柵極結構兩側具有側墻結構；
鍺硅凸層，形成于所述柵極結構兩側。
6.根據權利要求5所述的FD-SOI器件結構，其特征在于：所述柵氧層的厚度介于6埃米～15埃米之間。
7.根據權利要求5所述的FD-SOI器件結構，其特征在于：所述高k介質層包括HfO2及HfLaO2中的一種，其厚度為15埃米～30埃米之間。
8.根據權利要求5所述的FD-SOI器件結構，其特征在于：所述氮化鈦層的厚度范圍介于15埃米～30埃米之間。
9.根據權利要求5所述的FD-SOI器件結構，其特征在于：所述柵極層的材料包括非晶硅，厚度范圍介于500埃米～600埃米之間。
10.根據權利要求5所述的FD-SOI器件結構，其特征在于：所述鍺硅凸層的鍺濃度范圍介于20％～50％之間且含硼濃度介于1×1019～1021/cm3之間，所述鍺硅凸層的厚度范圍介于200埃米～400埃米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
