[實用新型]一種用于驅(qū)動MOS管的高壓浮柵型驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020767431.1
• 申請日: 2020-05-11
• 公開（公告）號: CN211908692U
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳玨
• 申請（專利權(quán)）人: 中科芯集成電路有限公司
• 主分類號: H02P7/285
• 分類號: H02P7/285
• 代理公司: 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

本實用新型公開了一種用于驅(qū)動MOS管的高壓浮柵型驅(qū)動電路，包括U線上橋驅(qū)動電路、U線下橋驅(qū)動電路和電機(jī)，所述U線上橋驅(qū)動電路包括電容CD11，電容CD11的一端通過二極管D1連接有15V電源，另一端接在電機(jī)相線上；所述U線下橋驅(qū)動電路包括NPN晶體管Q12和PNP晶體管Q24，所述NPN晶體管Q12的集電極與PNP晶體管Q24的基極連接，所述NPN晶體管Q12的集電極通過電阻R135連接15V電源，NPN晶體管Q12的發(fā)射極通過電阻R141接通有U相驅(qū)動信號。本實用新型，使用N溝道的MOS管代替P溝道的MOS管，節(jié)省了企業(yè)的成本，而且通過設(shè)置電容CD11和N?MOS管V1電機(jī)繞組實現(xiàn)快速充電，為下個周期做準(zhǔn)備。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電機(jī)驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種用于驅(qū)動MOS管的高壓浮柵型驅(qū)動電路。

背景技術(shù)

在電機(jī)的驅(qū)動電路中，上橋的驅(qū)動電路比下橋復(fù)雜，如果要簡單一點的話，上橋的功率管直接用P溝道的MOS管來做就可以，但是P溝道MOS管很難買，而且貴，成本比較高。為了節(jié)省成本只能用N溝道的MOS管代替，但是N溝道的MOS管導(dǎo)通的條件是柵極要比源極高出10V才能完全導(dǎo)通，這樣在上橋V1導(dǎo)通時，柵極電壓要高于源極電壓，比如電源電壓48V，那么柵極電壓就要58V以上才能導(dǎo)通。要獲得比電源電壓還要高的電壓，一般要使用變壓器耦合驅(qū)動信號，電荷泵升壓提供高壓，變壓器耦合電路由變壓器和其他電子元器件構(gòu)成，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，電路龐大。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種用于驅(qū)動MOS管的高壓浮柵型驅(qū)動電路，以解決上述背景技術(shù)中提出P溝道MOS管很難買，成本高的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種用于驅(qū)動MOS 管的高壓浮柵型驅(qū)動電路，包括U線上橋驅(qū)動電路、U線下橋驅(qū)動電路和電機(jī)，所述U線上橋驅(qū)動電路包括電容CD11，電容CD11的一端通過二極管D1連接有15V電源，另一端接在電機(jī)相線上，所述二極管D1的負(fù)極連接有電阻R101，所述電阻R101的另一端接在電機(jī)的相線上，所述二極管D1的負(fù)極通過電阻 R134連接有NPN晶體管Q11，所述NPN晶體管Q11的發(fā)射極通過電阻R70連接有U相驅(qū)動信號，NPN晶體管Q11的基極通過電阻R140連接有供電端VDDA，所述二極管D1的負(fù)極連接有PNP晶體管Q20，所述PNP晶體管Q20基極與NPN 晶體管Q11的集電極連接，PNP晶體管Q20的集電極通過電阻R128連接在電機(jī)相線上且PNP晶體管Q20的集電極連接有PNP晶體管Q21和二極管D7；所述二極管D7的負(fù)極通過電阻R122與PNP晶體管Q21的發(fā)射極連接，PNP晶體管Q21的集電極接在電機(jī)相線上；所述電阻R122的一端分別通過電容C33、電阻R110和電阻R1112連接電機(jī)相線、N-MOS管V1和N-MOS管V2；所述N-MOS 管V1和N-MOS管V2的漏極均連接電容CD，所述N-MOS管V1和N-MOS管V2 的源極均與電機(jī)相線連接，電容CD11的另一端、電阻R101的另一端、電阻 R128的另一端、PNP晶體管Q21的集電極接和電容C33均連接N-MOS管V1的源極；