[實用新型]一種由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器

有效

• 申請號: 202020764372.2
• 申請日: 2020-05-11
• 公開（公告）號: CN212517241U
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 黃向向;楊敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;費玉斌;關健;孫斯佳
• 申請（專利權）人: 罕王微電子（遼寧）有限公司
• 主分類號: H01L41/113
• 分類號: H01L41/113;H01L41/22;G01L1/16;G01L9/08
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.一種由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器，其特征在于：所述的由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器，包括硅電阻層(1)，金屬圓片(2)，金屬薄膜(3)，鍵合界面(4)，金屬連接層(5)；

其中：硅電阻層(1)為高溫壓力傳感器電阻層，組成電橋，金屬圓片(2)為高溫壓力傳感器主體結構，為硅電阻層(1)提供襯底結構，金屬圓片(2)通過數控機床機械加工而形成金屬薄膜(3)，為感受壓力金屬薄膜，鍵合界面(4)是硅電阻層(1)與金屬圓片(2)鍵合形成的鍵合界面，金屬連接層(5)起到電路連接的作用。

2.按照權利要求1所述的由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器，其特征在于：所述的硅電阻層(1)為高溫壓力傳感器電阻層，組成的電橋為惠斯通電橋。

3.按照權利要求1所述的由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器，其特征在于：所述的由硅到金屬晶圓鍵合的高溫高壓傳感器整體為圓柱形或長方體結構。