[實用新型]一種開關(guān)電路及開關(guān)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020763319.0 | 申請日: | 2020-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN212063966U | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 冀蓬舉;張振鑫;高俊山;徐玉翠 | 申請(專利權(quán))人: | 北京動力源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/567 | 分類號: | H03K17/567 |
| 代理公司: | 北京市廣友專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11237 | 代理人: | 祁獻(xiàn)民 |
| 地址: | 100070 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 開關(guān)電路 開關(guān) 裝置 | ||
本申請的實施例公開了一種開關(guān)電路及開關(guān)裝置,涉及開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,為提高開關(guān)電路中的金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的安全性而發(fā)明。所述開關(guān)電路,包括:第一開關(guān)驅(qū)動電路,所述第一開關(guān)驅(qū)動電路包括直流電源、第一限流電阻及金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,所述直流電源與所述第一限流電阻第一端連接,所述第一限流電阻的第二端與所述金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接,所述金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極用于連接負(fù)載,金屬?氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地。本申請適用于將連接于開關(guān)電路的負(fù)載接入電源或與電源斷開。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種開關(guān)電路及開關(guān)裝置。
背景技術(shù)
為能夠方便地將負(fù)載接入電源系統(tǒng)或與電源系統(tǒng)斷開,在電源系統(tǒng)中設(shè)置了開關(guān)電路,現(xiàn)有的開關(guān)電路由專用芯片、小型三極管或金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,直接驅(qū)動功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管開啟或關(guān)閉,這種方式在根本上是一種硬性驅(qū)動,功率金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管在開啟過程中容易損壞,使得金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的安全性較低。
實用新型內(nèi)容
有鑒于此,本申請實施例提供一種開關(guān)電路及開關(guān)裝置,能夠提高開關(guān)電路中的金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的安全性。
本申請實施例提供一種開關(guān)電路,包括:第一開關(guān)驅(qū)動電路,所述第一開關(guān)驅(qū)動電路包括直流電源、第一限流電阻及金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,所述直流電源與所述第一限流電阻第一端連接,所述第一限流電阻的第二端與所述金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極連接,所述金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極用于連接負(fù)載,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極接地。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,還包括第二開關(guān)驅(qū)動電路,所述第二開關(guān)驅(qū)動電路包括控制器及三極管開關(guān)單元電路,所述三極管開關(guān)單元電路的輸入端與所述控制器的輸出端連接,所述三極管開關(guān)單元電路的第一輸出端與所述第一限流電阻的第二端連接,所述三極管開關(guān)單元電路的第二輸出端接地。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,所述三極管開關(guān)單元電路包括:第一控制信號輸入電路、第二控制信號輸入電路及三極管,所述第一控制信號輸入電路上設(shè)有第二限流電阻,所述第二控制信號輸入電路上設(shè)有第三限流電阻,所述第二限流電阻的輸入端與所述控制器的第一輸出端連接,所述第二限流電阻的輸出端與所述三極管的基極連接,所述第三限流電阻的輸入端與所述控制器的第二輸出端連接,所述第三限流電阻的輸出端與所述三極管的基極連接,所述三極管的集電極與所述第一限流電阻第二端連接,所述三極管的發(fā)射極接地。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,所述第一控制信號輸入電路上還設(shè)有第一二極管,所述第一二極管的陽極與所述第二限流電阻的輸出端連接,所述第一二極管的陰極與所述三極管的基極連接。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,還包括:鉗位電路,所述鉗位電路的一端與第一節(jié)點相連,所述第一節(jié)點為所述第二限流電阻與所述第一二極管的之間的節(jié)點,所述鉗位電路的另一端與所述金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極相連。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,所述鉗位電路包括:第二二極管,所述第二二極管的陽極連接于所述第一節(jié)點上,所述第二二極管的陰極與所述金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極相連。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,還包括:信號隔離器,所述信號隔離器連接于所述控制器與三極管開關(guān)單元電路之間。
根據(jù)本申請實施例的一種具體實現(xiàn)方式,所述信號隔離器為光電耦合器、磁耦合器或電容耦合器;所述信號隔離器輸入端與所述控制器連接,所述信號隔離器的輸出端分別與所述第一控制信號輸入電路中的第二限流電阻輸入端及第二控制信號輸入電路中的第三限流電阻輸入連接。
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