[實用新型]像素單元、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 202020762910.4
• 申請日: 2020-05-09
• 公開（公告）號: CN211629115U
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 徐攀;林奕呈;王玲;王國英;張星;韓影
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種像素單元，其特征在于，所述像素單元包括：位于襯底基板上的薄膜晶體管和存儲電容；所述薄膜晶體管包括：有源層，柵極和源漏極；所述存儲電容包括：依次層疊的第一電極、第二電極和第三電極；

其中，所述第一電極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側；

所述第二電極與所述有源層或所述柵極位于同層；

所述第三電極與所述源漏極位于同層，且所述第三電極與所述第一電極電連接。

2.根據權利要求1至所述的像素單元，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：驅動晶體管，所述源漏極包括源極和漏極；

所述第二電極與所述驅動晶體管的第一極電連接，電連接的所述第三電極和所述第一電極與所述驅動晶體管的柵極電連接；其中，所述第一極為所述驅動晶體管的源極和漏極中的一極。

3.根據權利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影，與所述驅動晶體管的第二極在所述襯底基板上的正投影不重疊；其中，所述第二極為所述驅動晶體管的源極和漏極中的另一極。

4.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：驅動晶體管，所述源漏極包括源極和漏極；

所述第二電極與所述驅動晶體管的柵極電連接，電連接的所述第三電極和所述第一電極與所述驅動晶體管的第一極電連接；其中，所述第一極為所述驅動晶體管的源極和漏極中的一極。

5.根據權利要求4所述的像素單元，其特征在于，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影，與所述驅動晶體管的第二極在所述襯底基板上的正投影重疊；其中，所述第二極為所述驅動晶體管的源極和漏極中的另一極。

6.根據權利要求3或5所述的像素單元，其特征在于，所述驅動晶體管的第二極用于電連接驅動電源端。

7.根據權利要求1至5任一所述的像素單元，其特征在于，所述第三電極通過過孔與所述第一電極電連接。

8.根據權利要求2至5任一所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元還包括：發光元件，所述發光元件為有機發光二極管；

其中，所述發光元件與所述驅動晶體管的第一極電連接。

9.根據權利要求8所述的像素單元，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：開關晶體管；

所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的任一所述電極在所述襯底基板上的正投影，與所述開關晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影，所述開關晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影，以及所述開關晶體管的源漏極在所述襯底基板上的正投影均不重疊。

10.根據權利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：補償晶體管；

所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的任一所述電極在所述襯底基板上的正投影，與所述補償晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影，所述補償晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影，以及所述補償晶體管的源漏極在所述襯底基板上的正投影均不重疊。

11.根據權利要求1至5任一所述的像素單元，其特征在于，所述存儲電容還包括：位于每相鄰兩個所述電極之間的絕緣層。

12.根據權利要求1至5任一所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元為頂發射型像素單元。

13.根據權利要求10所述的像素單元，其特征在于，所述驅動晶體管的第二極用于電連接驅動電源端；所述第三電極通過過孔與所述第一電極電連接；所述存儲電容還包括：位于每相鄰兩個所述電極之間的絕緣層；所述像素單元為頂發射型像素單元。