[實用新型]一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝有效
| 申請號: | 202020685312.1 | 申請日: | 2020-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN212293846U | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 周耐根;劉世龍;劉淑慧 | 申請(專利權)人: | 南昌大學 |
| 主分類號: | C30B35/00 | 分類號: | C30B35/00;C30B28/06;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生產 低位 密度 鑄造 單晶錠 多晶 硅錠用 坩堝 | ||
1.一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的中部上表面安裝有保護架(2),且保護架(2)的內側設置有酒精燈(3),所述底座(1)的四周上表面均設置有支撐架(4),且支撐架(4)的上端位于連接塊(5)的內部,所述連接塊(5)的內側固定有內桿(6),且內桿(6)的內側表面開設有滑槽(7),所述內桿(6)通過滑槽(7)與內部的滑塊(8)相互連接,且滑塊(8)的外側下端安裝有連接桿(9),所述連接桿(9)的下側位于固定扣(10)的內部,且固定扣(10)的內側連接有彈簧桿(11),并且彈簧桿(11)的內側固定有卡扣(12),所述卡扣(12)的內側設置有坩堝本體(13),所述內桿(6)的左右兩側上端均設置有伸縮柱(14),且伸縮柱(14)的上端表面固定有密封板(15),所述密封板(15)的內側下表面開設有進氣孔(16),且密封板(15)的內部預留有內槽(17),并且內槽(17)與下側的進氣孔(16)相互連接,所述密封板(15)的上端設置有抽氣機(18),且抽氣機(18)和內槽(17)相互連接。
2.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述保護架(2)的橫切面形狀為扇形,且保護架(2)和底座(1)構成一體化結構。
3.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述內桿(6)通過連接塊(5)與支撐架(4)構成升降結構,且連接塊(5)與支撐架(4)通過固定螺絲相互連接固定。
4.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述連接桿(9)通過滑塊(8)與滑槽(7)構成滑動結構,且滑塊(8)與滑槽(7)的連接面相互貼合。
5.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述卡扣(12)通過彈簧桿(11)與固定扣(10)構成彈性結構,且該結構等角度設置有四個。
6.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述密封板(15)的下表面和坩堝本體(13)的上表面相互貼合,且密封板(15)通過伸縮柱(14)與內桿(6)構成升降結構。
7.根據權利要求1所述的一種生產低位錯密度鑄造單晶錠或多晶硅錠用的坩堝,其特征在于:所述內槽(17)的上下兩端分別連接抽氣機(18)和進氣孔(16),且內槽(17)的剖面形狀為梯形結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南昌大學,未經南昌大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020685312.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





