[實用新型]一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具有效
| 申請號： | 202020665713.0 | 申請日： | 2020-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN212422026U | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發明（設計）人： | 管安琪;馬明駝;鮮明 | 申請（專利權）人： | 蕪湖鼎聯電子科技有限公司;上海共晶電子科技有限公司 |
| 主分類號： | B29C45/26 | 分類號： | B29C45/26;B29C45/78;B29C45/77;B29C45/76;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 申丹寧 |
| 地址： | 241100 安徽省蕪*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 功率 半導體器件 封裝 無重熔 高溫 高壓 注塑 模具 | ||
1.一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，包括移動模部件和固定模部件，其特征在于，所述移動模部件包括依次設置的上模板(2)、熱流道板(3)和溫度調節板(6)，所述移動模部件設有貫穿上模板(2)和熱流道板(3)的主流道(15)，所述熱流道板(3)中設有第一溫度傳感器(4)；
所述固定模組件包括下模(12)和設置在下模(12)中的型腔模板(11)，所述型腔模板(11)中設有型腔(14)，所述型腔(14)中設有型腔冷卻器(10)，所述型腔(14)的側壁設有壓力傳感器和第二溫度傳感器；
所述第一溫度傳感器(4)、壓力傳感器和第二溫度傳感器均與?？叵到y連接。
2.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述型腔(14)的底部設有型腔熱屏蔽層(9)。
3.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述型腔模板(11)中設有與型腔(14)相連的瞬間冷卻器(8)。
4.根據權利要求3所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述瞬間冷卻器(8)之處設有高敏溫度傳感器(7)。
5.根據權利要求3所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述瞬間冷卻器(8)與型腔(14)的底部連接。
6.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述溫度調節板(6)與熱流道板(3)之間設有流道熱屏蔽層(5)。
7.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述壓力傳感器和第二溫度傳感器設置在型腔(14)的其中一個側壁，所述型腔冷卻器(10)設置在與該側壁相對的另一側壁。
8.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述?？叵到y采用具有亞毫秒級響應速度的模控系統MCU(16)。
9.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述型腔(14)設有兩部分，所述型腔冷卻器(10)設置在兩部分型腔(14)之間。
10.根據權利要求1所述的一種用于功率半導體器件封裝的無重熔高溫高壓注塑模具，其特征在于，所述型腔冷卻器(10)為管狀。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蕪湖鼎聯電子科技有限公司;上海共晶電子科技有限公司，未經蕪湖鼎聯電子科技有限公司;上海共晶電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020665713.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：封頭生產用焊接裝置
- 下一篇：一種能夠對氣流合理引導的空氣凈化器
