[實用新型]利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器有效
| 申請號: | 202020651005.1 | 申請日: | 2020-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN212514973U | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | 張登偉;梁璀;魏鶴鳴 | 申請(專利權)人: | 浙江大學;上海大學 |
| 主分類號: | G01R33/032 | 分類號: | G01R33/032;G01D5/353;G01R33/00;B29C64/135;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 鄭海峰 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 光子 激光 技術 打印 磁場 傳感器 | ||
1.一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于包含單模光纖(3-1)、毛細管(3-5)和F-P腔微結構;所述F-P腔微結構與所述單模光纖(3-1)的一端由3D打印直接打印連接,F-P腔微結構的外圍套設有毛細管(3-5),毛細管(3-5)的兩端密封形成密封腔體,密封腔體內充滿磁流體;所述單模光纖(3-1)的另一端通過光纖耦合器(2)分別連接寬譜光源(1)和光譜分析儀(4);
所述的F-P腔微結構包括波導(3-3)、第一平面(3-2)、第二平面(3-4)和支撐結構;所述的波導(3-3)與單模光纖(3-1)的纖芯對齊,第一平面(3-2)和第二平面(3-4)分別與波導(3-3)的兩端垂直連接,且第一平面(3-2)與單模光纖(3-1)的一端相接觸;波導(3-3)的外圍設有連接第一平面(3-2)和第二平面(3-4)的支撐結構。
2.如權利要求1所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述毛細管(3-5)的兩端使用紫外固化膠固定和密封。
3.如權利要求2所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述毛細管(3-5)的直徑大于單模光纖(3-1)的直徑。
4.如權利要求1所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述第一平面(3-2)、第二平面(3-4)的直徑與單模光纖(3-1)的直徑相同。
5.如權利要求1所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述的第二平面(3-4)上與波導(3-3)相連的一側鍍有全反膜。
6.如權利要求1所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述的波導(3-3)由錐形體和圓柱體構成,錐形體的小端面與圓柱體的一個端面匹配連接,錐形體的大端面與單模光纖(3-1)的纖芯直徑相同。
7.如權利要求6所述的一種利用雙光子飛秒激光直寫技術3D打印的F-P磁場傳感器,其特征在于,所述圓柱體的直徑范圍為0.5μm-10μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學;上海大學,未經浙江大學;上海大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202020651005.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





