[實用新型]一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構有效
| 申請號: | 202020647545.2 | 申請日: | 2020-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN212198497U | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 鳳瑞;周銘;商興蓮 | 申請(專利權)人: | 中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英 |
| 地址: | 215163 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 質量 離散 mems 器件 沖擊 結構 | ||
1.一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,將MEMS器件敏感結構中的質量塊離散為多個子質量塊,各子質量塊分別由獨立的梁支撐在襯底上;
各子質量塊分別對應設置檢測其運動信號的子檢測電極;位于各子質量塊同一偏轉方向側的各子檢測電極串聯連接。
2.根據權利要求1所述的一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,各子質量塊在水平方向或/和在垂直方向上排列。
3.根據權利要求1所述的一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,多個子質量塊采用晶圓堆疊的方式進行垂直方向的排列。
4.根據權利要求3所述的一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,采用TSV的方式將堆疊的相對應的同一側的子檢測電極串聯連接。
5.根據權利要求1所述的一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,每一子質量塊、對應檢測該子質量塊運動信號的子檢測電極和對應支撐該子質量塊的梁構成一子結構;
位于水平方向上的各子結構呈軸對稱排列、反對稱排列、陣列式排列或錯位陣列排列。
6.根據權利要求1所述的一種質量離散化的MEMS器件抗沖擊結構,其特征是,離散后的多個子質量塊的總質量不小于原整體質量塊的質量。
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