[實用新型]一種四元系張應變半導體激光外延片

有效

• 申請號: 202020636232.7
• 申請日: 2020-04-24
• 公開（公告）號: CN212659825U
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 羅帥;季海銘;徐鵬飛;王巖;趙春龍;徐智鵬
• 申請（專利權）人: 江蘇華興激光科技有限公司
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/028;H01S5/34
• 代理公司: 武漢江楚智匯知識產權代理事務所(普通合伙) 42228
• 代理人: 鄧寅杰

1.一種四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：其由下至上依次包括襯底、緩沖層、光柵層、InP蓋層、覆蓋層、隔離層、下限制層、下漸變波導層、多量子阱層、上漸變波導層、上限制層、上包層、上漸變層和接觸層，所述光柵層和InP蓋層上制備有N面光柵圖形。

2.根據權利要求1所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述緩沖層的材料為InP，厚度為500~1000nm，摻雜濃度介于1×10¹⁸~3×10¹⁸cm^-3之間，生長速度介于0.4~0.6 nm/s之間。

3.根據權利要求1所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述光柵層的材料為InGaAsP，厚度為10~50nm，帶隙波長介于1000~1300nm之間。

4.根據權利要求3所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述光柵層的光柵占空比范圍介于20%~80%之間。

5.根據權利要求1所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述覆蓋層的材料為InP，厚度為30~150nm。

6.根據權利要求1所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述多量子阱層由多個In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs量子阱組成，量子阱材料相對于襯底具有張應變，應變量介于-0.5%~-2.0%之間。

7.根據權利要求6所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：多個所述量子阱之間的勢壘層由壓應力In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs組成，應變量介于+0.3%~+1.5%之間。

8.根據權利要求7所述的四元系張應變半導體激光外延片，其特征在于：所述量子阱的對數介于1~20之間，量子阱厚度介于5~15nm之間，勢壘厚度介于5~20nm之間。