[實用新型]一種光掩模和一種曝光裝置有效
| 申請號： | 202020631569.9 | 申請日： | 2020-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN211603835U | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 李凡月 | 申請（專利權）人： | 拾斛科技（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/38 | 分類號： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光掩模 曝光 裝置 | ||
1.一種光掩模，其特征在于，包括：
掩模板，所述掩模板包括透明基板和設置在所述透明基板上的掩模圖案層，所述掩模圖案層包括M個單元圖案，M為大于等于1的整數；
微透鏡組陣列，所述微透鏡組陣列包括N個微透鏡組，N為大于等于1的整數；
設置一個微透鏡組單獨對應一個單元圖案，所述微透鏡組只通過從對應的所述單元圖案經過的光線，所述掩模圖案層中的單元圖案分別被其所對應的所述微透鏡組成像在被曝光體上，所述單元圖案的寬度與其在被曝光體上的成像的寬度比值小于1；
所述掩模圖案層中的任意相鄰兩個單元圖案的距離大于單元圖案的輪廓尺寸，任意相鄰的兩個所述單元圖案在被曝光體上的成像不重疊。
2.根據權利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述掩模圖案層中的任意相鄰兩個單元圖案的距離與單元圖案輪廓尺寸的比值大于1。
3.根據權利要求1所述的光掩模，其特征在于，每個微透鏡組設置L個微鏡頭，L為大于等于1的整數。
4.根據權利要求3所述的光掩模，其特征在于，所述微鏡頭設置平面或凸面或凹面或自由曲面。
5.根據權利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述掩模板設置在所述微透鏡組陣列的迎光面。
6.根據權利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述掩模板設置在所述微透鏡組陣列的背光面。
7.根據權利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述掩模板設置在所述微透鏡組陣列中。
8.一種曝光裝置，其特征在于，包括如權利要求1～7任一所述的光掩模。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
