[實用新型]一種用于開關電源功率器件的散熱結構及開關

有效

• 申請號: 202020623730.8
• 申請日: 2020-04-23
• 公開（公告）號: CN211959896U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 倪梓榮;肖彪;張威;劉智亮
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20;H05K5/04;H05K9/00;H02M1/00
• 代理公司: 北京麥寶利知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11733
• 代理人: 張雅莉

1.一種用于開關電源功率器件的散熱結構，其特征在于，包括

PCB板，其底面設有散熱裝置(7)；

功率器件，安裝在所述PCB板頂面，所述功率器件包括MOSFET管和電感(5)，其中，所述電感(5)包括電感工作組件和密封所述電感工作組件的金屬外殼，所述MOSFET管絕緣設置在所述電感(5)的金屬外殼上并直插固定在所述PCB板的頂面；

所述功率器件產生的熱量通過所述電感(5)的金屬外殼傳遞至所述散熱裝置(7)。

2.如權利要求1所述的散熱結構，其特征在于，所述金屬外殼包括與所述PCB板相對平行的頂面和底面，以及與所述金屬外殼的頂面和底面形成密封結構的側面，所述金屬外殼的頂面上設有電感接線端子(51)，且所述電感接線端子(51)與所述金屬外殼的頂面垂直，所述MOSFET管絕緣設置在所述金屬外殼的任意側面上，且所述MOSFET管的引腳與所述電感接線端子(51)垂直或平行。

3.如權利要求2所述的散熱結構，其特征在于，所述MOSFET管帶有金屬的封裝面與所述電感(5)的金屬外殼之間設有一絕緣墊。

4.如權利要求3所述的散熱結構，其特征在于，所述MOSFET管通過螺釘固定在所述電感(5)的金屬外殼上。

5.如權利要求1-4任一所述的散熱結構，其特征在于，所述MOSFET管直插固定在所述PCB板的頂部邊緣。

6.如權利要求1-4任一所述的散熱結構，其特征在于，所述散熱結構包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)和第二PCB板(2)間隔設置且二者的頂面位于同一水平面，所述電感(5)兩個相對的側面上分別設有第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)，所述第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)分別直插固定在所述第一PCB板(1)和所述第二PCB板(2)頂部的邊緣，所述電感(5)的金屬外殼的底面與所述散熱裝置(7)完全接觸。

7.如權利要求1-4任一所述的散熱結構，其特征在于，所述散熱結構包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)垂直于所述第二PCB板(2)的頂面，所述電感(5)的一側面上設有第一MOSFET 管(3)和第二MOSFET管(4)，且所述第一MOSFET管(3)與所述第二MOSFET管(4)相互垂直設置；所述第一MOSFET管(3)直插固定在所述第一PCB板(1)的頂部，所述第二MOSFET管(4)直插固定在所述第二PCB板(2)的頂部，所述電感(5)的金屬外殼的底面與所述散熱裝置(7)部分接觸。

8.如權利要求1-4任一所述的散熱結構，其特征在于，所述散熱結構包括第一PCB板(1)和第二PCB板(2)，所述第一PCB板(1)垂直于所述第二PCB板(2)的頂面，所述電感(5)的兩個相對的側面上分別設有第一MOSFET管(3)和第二MOSFET管(4)，且所述第一MOSFET管(3)與所述第二MOSFET管(4)相互垂直設置；所述第一MOSFET管(3)直插固定在所述第一PCB板(1)的頂部，所述第二MOSFET管(4)直插固定在所述第二PCB板(2)的頂部，所述電感(5)的金屬外殼的底面與所述散熱裝置(7)部分接觸。

9.如權利要求1所述的散熱結構，其特征在于，所述散熱裝置(7)為水冷散熱裝置。

10.一種開關，其特征在于，具有權利要求1-9任一項所述的散熱結構。