[實(shí)用新型]LED芯片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020608785.1
• 申請(qǐng)日: 2020-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN211578783U
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝茂盛;張楠;陳朋;袁根如;柳丁亮;馬艷紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/46
• 分類號(hào): H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實(shí)用新型提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，LED芯片結(jié)構(gòu)包括發(fā)光區(qū)及漏電防護(hù)區(qū)，其中，通過位于漏電防護(hù)區(qū)中的覆蓋保護(hù)金屬層的鈍化層，以形成發(fā)光區(qū)的漏電防護(hù)；或通過位于漏電防護(hù)區(qū)中的鈍化層的開口，以顯露保護(hù)金屬層，使發(fā)光區(qū)的N電極可同時(shí)作為漏電防護(hù)區(qū)的P電極，從而在漏電防護(hù)區(qū)形成一個(gè)與發(fā)光區(qū)橋接的反向保護(hù)二極管，以形成漏電保護(hù)電路；從而可有效解決LED芯片結(jié)構(gòu)的漏電問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體器件及制造領(lǐng)域，涉及一種LED芯片結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)具有體積小、效率高和壽命長等優(yōu)點(diǎn)，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。LED芯片的制備主要包括在碳化硅、硅、藍(lán)寶石(主要成分是Al₂O₃)等生長襯底上依次外延形成N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層，再在P型半導(dǎo)體層上配置P電極，以及在N型半導(dǎo)體層上配置N電極。

目前，LED芯片結(jié)構(gòu)制造中，通過采用激光剝離技術(shù)，以去除生長襯底，制備具有單面發(fā)光的LED芯片結(jié)構(gòu)，該LED芯片結(jié)構(gòu)雖具有出光效率高、出光集中、利于二次光學(xué)設(shè)計(jì)及表面顏色均勻等優(yōu)點(diǎn)，但由于采用激光剝離技術(shù)，制造過程中易損傷外延層，從而導(dǎo)致存在漏電的問題，造成靜電釋放(ESD)性能差。

因此，提供一種新型的LED芯片結(jié)構(gòu)，實(shí)屬必要。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在制備LED芯片結(jié)構(gòu)時(shí)，所存在的漏電問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，所述LED芯片結(jié)構(gòu)包括：

外延疊層，所述外延疊層包括依次堆疊設(shè)置的N型半導(dǎo)體層、有源層及P型半導(dǎo)體層；

貫穿所述P型半導(dǎo)體層及有源層的第一溝槽及第二溝槽，以形成發(fā)光區(qū)及漏電防護(hù)區(qū)；

位于所述發(fā)光區(qū)的反射鏡層；

位于所述發(fā)光區(qū)及漏電防護(hù)區(qū)的保護(hù)金屬層，所述保護(hù)金屬層包括公共保護(hù)金屬層，且所述公共保護(hù)金屬層通過所述第二溝槽分別與所述反射鏡層及漏電防護(hù)區(qū)的N型半導(dǎo)體層電連接；

鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述保護(hù)金屬層、第一溝槽及第二溝槽，且顯露所述第一溝槽的底部；

第一電極，所述第一電極通過所述第一溝槽與所述發(fā)光區(qū)的N型半導(dǎo)體層電連接；

第三溝槽，所述第三溝槽至少貫穿所述N型半導(dǎo)體層，以顯露所述公共保護(hù)金屬層，且所述第三溝槽將所述發(fā)光區(qū)的外延疊層與所述公共保護(hù)金屬層隔離；

第二電極，所述第二電極通過所述第三溝槽與顯露的所述公共保護(hù)金屬層電連接。

可選地，位于所述漏電防護(hù)區(qū)的所述鈍化層具有開口，以顯露所述保護(hù)金屬層。

可選地，所述發(fā)光區(qū)的N型半導(dǎo)體層的厚度小于所述漏電防護(hù)區(qū)的N型半導(dǎo)體層的厚度。

可選地，所述第三溝槽貫穿所述發(fā)光區(qū)的外延疊層。

可選地，還包括與所述公共保護(hù)金屬層相接觸的電介質(zhì)層。

可選地，所述第三溝槽貫穿所述N型半導(dǎo)體層或貫穿所述N型半導(dǎo)體層及電介質(zhì)層。

可選地，還包括與所述P型半導(dǎo)體層相接觸的歐姆接觸層。

可選地，所述鈍化層的厚度的范圍包括1微米～3微米。