[實用新型]用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020600065.0
• 申請日: 2020-04-21
• 公開（公告）號: CN212365531U
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張昌有;希爾蓋·法捷耶夫;沃若別夫·迪尼斯;比特·卡恰洛夫;唐建科
• 申請（專利權(quán)）人: 山西壹泰科電工設(shè)備有限公司
• 主分類號: G21K5/10
• 分類號: G21K5/10
• 代理公司: 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606
• 代理人: 劉葛

1.一種用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

加速器；

引出窗，所述加速器與所述引出窗通過掃描盒連接；

吸收靶支撐架，所述引出窗和所述吸收靶支撐架均位于所述屏蔽體內(nèi)，所述吸收靶支撐架位于所述引出窗的下方，所述吸收靶支撐架上設(shè)置有吸收靶，所述吸收靶與所述引出窗上的鈦窗上下相對，所述屏蔽體內(nèi)接受輻照的輻照產(chǎn)品經(jīng)過所述吸收靶與所述鈦窗之間；

升降機構(gòu)，所述升降機構(gòu)與所述吸收靶支撐架連接，用于帶動所述吸收靶支撐架靠近或遠(yuǎn)離所述鈦窗，從而使得吸收靶支撐架上的吸收靶靠近或遠(yuǎn)離所述鈦窗，進而帶動吸收靶上的所述輻照產(chǎn)品靠近或遠(yuǎn)離所述鈦窗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個導(dǎo)向輥，多個所述導(dǎo)向輥均設(shè)置在所述吸收靶支撐架上，用于引導(dǎo)所述輻照產(chǎn)品依次穿過鈦窗的入口和出口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括冷卻機構(gòu)和第一管道，所述冷卻機構(gòu)固定在所述屏蔽體上，所述第一管道設(shè)置在所述屏蔽體內(nèi)，所述冷卻機構(gòu)的進風(fēng)口通過所述第一管道與所述鈦窗相對。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述冷卻機構(gòu)包括吹風(fēng)機，所述吹風(fēng)機固定在所述屏蔽體的外側(cè)，所述第一管道為Z字形結(jié)構(gòu)，所述Z字形第一管道的一端與所述吹風(fēng)機連接，另一端與所述鈦窗相對。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括臭氧風(fēng)機和第二管道，所述臭氧風(fēng)機設(shè)置在所述屏蔽體的外側(cè)，所述第二管道設(shè)置在所述屏蔽體內(nèi)，所述臭氧風(fēng)機與所述第二管道連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二管道為Z字形結(jié)構(gòu)，所述Z字形第二管道的一端與所述臭氧風(fēng)機連接，另一端位于所述屏蔽體內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括屏蔽門，所述屏蔽門設(shè)置在所述屏蔽體上，且所述屏蔽門位于所述引出窗的側(cè)面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括開門機構(gòu)，所述開門機構(gòu)與所述屏蔽門配合，用以開啟或關(guān)閉所述屏蔽門。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括控制器和輻射監(jiān)測儀，所述控制器與所述加速器連接，所述輻射監(jiān)測儀設(shè)置在所述屏蔽門上，當(dāng)所述輻射監(jiān)測儀監(jiān)測到輻射異常時，所述控制器控制所述加速器關(guān)閉。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位置檢測傳感器，所述位置檢測傳感器用于檢測所述屏蔽體上的屏蔽門是否關(guān)閉，當(dāng)所述電子加速器在工作時，所述位置檢測傳感器檢測到所述屏蔽門沒有關(guān)閉時，所述控制器控制所述加速器關(guān)閉。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第一支撐架和第二支撐架，所述第一支撐架位于所述第二支撐架上方，所述加速器設(shè)置在所述第一支撐架上，所述屏蔽體設(shè)置在所述第二支撐架上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任意一項所述的用于低能自屏蔽電子加速器屏蔽體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述吸收靶、所述吸收靶支撐架上的導(dǎo)向輥以及所述屏蔽體內(nèi)的束流擋板均由不銹鋼制成。