[實用新型]基于磁場耦合的隔離放大器結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020590909.8 | 申請日： | 2020-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN211908751U | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃海濱;馬輝;蔣賽尖 | 申請（專利權）人： | 無錫思泰迪半導體有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/68 | 分類號： | H03F3/68 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 張寧;楊辰 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 磁場 耦合 隔離放大器 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于磁場耦合的隔離放大器結構，其包括發(fā)送端模塊、接收端模塊和耦合器件，其特征在于，所述發(fā)送端模塊包括順次連接的前置放大器/濾波器、脈沖寬度調(diào)制器、電流源開關組，所述接收端模塊包括順次連接的放大整形電路和低通濾波器，所述耦合器件包括線圈和磁傳感器，所述線圈和磁傳感器之間設置有絕緣層。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于磁場耦合的隔離放大器結構，其特征在于，所述電流源開關組包括電流源和四個開關，所述電流源一端連接電源、另一端通過其中兩個所述開關分別連接所述線圈兩端，所述線圈兩端還分別通過剩余的兩個所述開關接地。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于磁場耦合的隔離放大器結構，其特征在于，所述耦合器件包括兩個對稱布置的所述線圈和兩個對稱布置的磁傳感器，兩個所述線圈一端相連，一個所述磁傳感器與一個所述線圈之間設置有所述絕緣層。
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