[實(shí)用新型]一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020579112.8
• 申請(qǐng)日: 2020-04-17
• 公開（公告）號(hào): CN211578759U
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李兵;葛宜威
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東星合明輝電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/40
• 分類號(hào): H01L29/40;H01L29/06;H01L29/866
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 孟雪

1.一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，包括薄片狀的芯片本體，所述芯片本體的上表面設(shè)有主結(jié)，所述主結(jié)的上表面設(shè)有頂部電極，所述芯片本體的下表面設(shè)有襯底，所述襯底的下表面設(shè)有底部電極，其特征在于，環(huán)繞所述頂部電極設(shè)有腐蝕環(huán)，所述腐蝕環(huán)的深度不低于所述主結(jié)的深度，所述腐蝕環(huán)內(nèi)填充有鈍化保護(hù)層，環(huán)繞所述腐蝕環(huán)設(shè)有金屬放電環(huán)，環(huán)繞所述金屬放電環(huán)設(shè)有切割槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述芯片本體設(shè)為拋光片或化腐片，所述芯片本體的厚度設(shè)為150-400um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述主結(jié)的深度設(shè)為5-15um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述芯片本體與所述主結(jié)的接觸面形成PN結(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述鈍化保護(hù)層設(shè)為復(fù)合多層結(jié)構(gòu)或者單層結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，當(dāng)所述鈍化保護(hù)層為復(fù)合多層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述鈍化保護(hù)層由內(nèi)及表依次包括多晶硅、二氧化硅膜層和聚酰亞胺薄膜層；當(dāng)所述鈍化保護(hù)層為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述鈍化保護(hù)層設(shè)為摻氯二氧化硅薄膜或聚酰亞胺薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述金屬放電環(huán)與所述頂部電極的材質(zhì)一致；所述金屬放電環(huán)的高度與所述主結(jié)的高度一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述腐蝕環(huán)的深度為所述主結(jié)的深度的1.5-2倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述頂部電極與所述底部電極的結(jié)構(gòu)設(shè)為相同或不同。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種超低漏電流超高浪涌能力的平面型穩(wěn)壓管芯片，其特征是，所述頂部電極設(shè)為鎳-鎳或鎳-金或鈦-鎳-銀結(jié)構(gòu)；所述底部電極設(shè)為鎳-鎳或鎳-金或鈦-鎳-銀或蒸鋁層結(jié)構(gòu)。