[實用新型]一種高純半導體單晶熱等靜壓連接的裝配結構有效
| 申請號： | 202020576893.5 | 申請日： | 2020-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN211999986U | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 王書杰;孫聶楓;孫同年;劉惠生;徐森鋒 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技南湖研究院;中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | C30B33/06 | 分類號： | C30B33/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 石家莊眾志華清知識產權事務所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 聶旭中 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉興市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高純 半導體 單晶熱 靜壓 連接 裝配 結構 | ||
1.一種高純半導體單晶熱等靜壓連接的裝配結構，結構中包括包套和置于包套內部的晶塊單元，所述包套由包套主體（8）和包套上蓋（3）組成，其特征在于：
所述包套主體（8）或包套上蓋（3）上設置抽氣孔（3-2），包套主體（8）和包套上蓋（3）的內表面設置包套保護層（7）；
所述晶塊單元包括多個單晶塊（1），單晶塊（1）間通過連接面（10）組合，并使用夾具（4）和/或填充塊（12）進行固定，固定的單晶塊（1）組合的外表面設置石英包裹層（5）。
2.根據權利要求1所述的裝配結構，其特征在于：所述夾具（4）和/或填充塊（12）使用與單晶塊（1）相同材質的半導體材料。
3.根據權利要求1所述的裝配結構，其特征在于：所述晶塊單元的石英包裹層（5）外設置有緊固卡圈（2）和緊固卡圈保護層（9）。
4.根據權利要求1所述的裝配結構，其特征在于：所述晶塊單元置于包套主體（8）中央位置，周圍使用與單晶塊（1）同質的半導體材料粉末填充。
5.根據權利要求1或2所述的裝配結構，其特征在于：單晶塊（1）連接面（10）的表面粗糙度為0.3nm-10nm，平整度為1-10微米。
6.根據權利要求5所述的裝配結構，其特征在于：半導體粉末的粒徑大于連接面的平整度。
7.根據權利要求3所述的裝配結構，其特征在于：緊固卡圈（2）的表面有氧化硼涂層，氧化硼涂層的厚度為0.5-1mm。
8.根據權利要求1所述的裝配結構，其特征在于：使用夾具（4）和/或填充塊（12）進行固定的單晶塊（1）下面有基板（11），基板（11）使用與單晶塊（1）相同材質的半導體材料。
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