[實用新型]復合溝道IGBT器件

有效

• 申請號: 202020571498.8
• 申請日: 2020-04-17
• 公開（公告）號: CN211629117U
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 朱袁正;周錦程;楊卓;葉鵬;童鑫;徐浩;劉倩
• 申請（專利權）人: 無錫新潔能股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;涂三民

1.一種復合溝道IGBT器件，在集電極金屬（1）的上表面設有P型集電極區（2），在P型集電極區（2）的上表面設有N型緩沖區（3），在N型緩沖區（3）的上表面設有N型外延層（4），在N型外延層（4）的上表面設有載流子存儲層（5），在載流子存儲層（5）的上表面設有P型體區（6）；其特征是：在所述P型體區（6）的上表面設有互相平行的條形的柵極溝槽（7），所述柵極溝槽（7）的底部穿透P型體區（6）與載流子存儲層（5），最后進入N型外延層（4）內，在柵極溝槽（7）的側壁與底面、P型體區（6）的上表面設有柵極氧化層（8），在柵極氧化層（8）的表面淀積有柵極多晶硅（9），柵極多晶硅（9）與柵極氧化層（8）填充滿柵極溝槽（7），在對應相鄰兩個柵極溝槽（7）之間的P型體區（6）的上表面設有條狀的重摻雜N型發射區（10），重摻雜N型發射區（10）遠離所述柵極溝槽（7）側壁位置的柵極氧化層（8），在柵極多晶硅（9）上開設有呈間隔設置的塊狀窗口（14），在塊狀窗口（14）內以及柵極多晶硅（9）的上表面設置絕緣介質層（12），在對應塊狀窗口（14）位置的絕緣介質層（12）上開設有接觸孔（15），接觸孔（15）的底部穿透絕緣介質層（12）與重摻雜N型發射區（10），最后進入P型體區（6）內，在接觸孔（15）的底面設有重摻雜P區（11），在重摻雜P區（11）的上方以及絕緣介質層（12）的上表面設有發射極金屬（13），在重摻雜P區（11）上方的接觸孔（15）內形成接觸柱，所述發射極金屬（13）通過接觸柱與重摻雜N型發射區（10）與重摻雜P區（11）歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的復合溝道IGBT器件，其特征是：所述塊狀窗口（14）開設在對應重摻雜N型發射區（10）上方且避開所述的柵極溝槽（7）。

3.根據權利要求1所述的復合溝道IGBT器件，其特征是：所述重摻雜N型發射區（10）的延伸方向與柵極溝槽（7）的延伸方向一致。

4.根據權利要求1所述的復合溝道IGBT器件，其特征是：所述重摻雜P區（11）整體位于重摻雜N型發射區（10）的下方。