[實用新型]高密度集成多波束瓦片式組件

有效

• 申請號: 202020569870.1
• 申請日: 2020-04-16
• 公開（公告）號: CN211959206U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 劉巍巍;韓威;賈世旺;魏浩;馮磊
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十四研究所
• 主分類號: H04B7/0408
• 分類號: H04B7/0408;H04B7/06;H04B1/405;H04B1/52;H01Q25/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 張貴勤

1.高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，包括：

印制轉接板；以及

多通道多波束功能模塊芯片，設有多個，多個所述多通道多波束功能模塊芯片表貼于所述印制轉接板上；

所述多通道多波束功能模塊芯片包括：

信號放大功能層，與所述印制轉接板電氣連接，并用于對組件通信信息進行幅度放大；

模擬移相衰減層，用于組件通信信息相位變化和幅度衰減；以及

銜接層，設于所述信號放大功能層和所述模擬移相衰減層之間，并分別與所述信號放大功能層和所述模擬移相衰減層電氣連接，用于所述信號放大功能層和所述模擬移相衰減層之間的信號傳輸、供電與控制；

所述印制轉接板包括：

基板；

多波束合成網絡，設于所述基板上，包括多個相互獨立的波束網絡，每個波束網絡分別與所述信號放大功能層電氣連接，并用于對該網絡連接的射頻通道信號進行分路或合路；

波束控制電路，設于所述基板上，所述波束控制電路與所述信號放大功能層電氣連接，并用于根據系統指令對多波束組件中每一通道幅度及相位發送控制信號，實現組件的每一通道幅度和相位的變化；以及

供電電路，設于所述基板上，用于供電銜接。

2.如權利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述信號放大功能層的非芯片面上表貼有用于與所述印制轉接板電氣連接的焊盤。

3.如權利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述銜接層為方陣型焊點結構。

4.如權利要求3所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述信號放大功能層上焊接有第一金屬屏蔽蓋板，所述模擬移相衰減層上焊接有第二金屬屏蔽蓋板，所述信號放大功能層和所述模擬移相衰減層之間填充有低損耗密封介質。

5.如權利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述多波束合成網絡設于所述基板內部，所述波束控制電路表貼于所述基板上，所述供電電路表貼于所述基板上。

6.如權利要求1所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述基板上還設有射頻連接器，所述射頻連接器分布于所述多通道多波束功能模塊芯片外周，所述射頻連接器與所述信號放大功能層電氣連接，并用于與信號收發模塊相連以完成所述高密度集成多波束瓦片式組件的射頻信號的傳入與傳出。

7.如權利要求6所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述射頻連接器呈矩形陣列狀分布于所述多通道多波束功能模塊芯片外周。

8.如權利要求6所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述射頻連接器包括超小型推入式射頻同軸連接器。

9.如權利要求1-8中任意一項所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，多個所述多通道多波束功能模塊芯片呈矩形陣列式的設于所述印制轉接板上。

10.如權利要求1-8中任意一項所述的高密度集成多波束瓦片式組件，其特征在于，所述信號放大功能層和所述模擬移相衰減層均為多層陶瓷介質基板結構。