[實用新型]柔性面板、顯示屏和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020562738.8 | 申請日: | 2020-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN212182326U | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張盛鵡;張祖強 | 申請(專利權)人: | 深圳柔宇顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 面板 顯示屏 電子設備 | ||
一種柔性面板、顯示屏和電子設備,柔性面板包括顯示區(qū)和外圍區(qū),外圍區(qū)包圍在顯示區(qū)的四周,外圍區(qū)的至少一側設置有驅動電路區(qū),驅動電路區(qū)位于外圍區(qū)之背向顯示區(qū)的一側,驅動電路區(qū)驅動顯示區(qū)顯示,并設有與測試端子連接的多條走線,多條走線中的相鄰兩條走線不同層。將常規(guī)的多條走線同層設置改為多條走線中的相鄰兩條走線不同層,增加相鄰兩條走線的間距,降低了碳化粒子造成相鄰兩條走線短路的風險,能提升柔性面板的良率。
技術領域
本公開涉及柔性顯示屏技術領域,具體涉及一種柔性面板、顯示屏和電子設備。
背景技術
常規(guī)的柔性面板在切割測試端子時,會因切割產生位于切割截面處的碳化粒子,相鄰的走線間距較近,碳化粒子具有導電性,可能會連通相鄰的走線而導致相鄰的走線短路,造成柔性面板顯示不良。
實用新型內容
第一方面,本公開提供一種柔性面板,包括顯示區(qū)、外圍區(qū),所述外圍區(qū)包圍在所述顯示區(qū)的四周,所述外圍區(qū)的至少一側設置有驅動電路區(qū),所述驅動電路區(qū)位于所述外圍區(qū)之背向所述顯示區(qū)的一側,所述驅動電路區(qū)驅動所述顯示區(qū)顯示,并設有與測試端子連接的多條走線,所述多條走線中的相鄰兩條走線不同層。將常規(guī)的多條走線同層設置改為多條走線中的相鄰兩條走線不同層,增加相鄰兩條走線的間距,降低了碳化粒子造成相鄰兩條走線短路的風險,能提升柔性面板的良率。
一種實施方式中,所述驅動電路區(qū)包括層疊設置的柔性基板、第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層和第二金屬層,所述第一金屬層包括多條第一走線,所述第二金屬層包括多條第二走線,在垂直于所述柔性基板的方向上的投影中,所述多條第一走線和所述多條第二走線依次交錯設置。通過設置分層的第一金屬層和第二金屬層,將多條第一走線和多條第二走線交錯設置,可增加相鄰的第一走線和第二走線的間距,降低碳化粒子造成短路的風險。
一種實施方式中,所述驅動電路區(qū)包括層疊設置的柔性基板、第一絕緣層、第二絕緣層和第二金屬層,所述第一絕緣層開設有多個間隔排列的凹槽,所述凹槽內容置有第一金屬層的第一走線,所述第二金屬層包括多個第二走線,在垂直于所述柔性基板方向的投影中,所述多條第一走線和所述多條第二走線依次交錯設置。通過在第一絕緣層設凹槽,將第一走線容置在凹槽內,相比于在第一絕緣層表面形成第一走線而言,一方面增加第一走線與第二走線的間距,降低第一走線與第二走線短路的風險,另一方面也減薄了厚度,能使得柔性面板輕薄化。
一種實施方式中,所述第二絕緣層和所述第二金屬層之間還設有平坦化層,所述第二金屬層設于所述平坦化層之背向所述第二絕緣層的表面。能進一步增加第一走線與第二走線之間的間距,進一步降低第一走線與第二走線短路的風險。
一種實施方式中,所述凹槽貫通所述第一絕緣層,所述第一走線與所述柔性基板連接。貫通的凹槽便于制作,能方便在第一絕緣層上的凹槽的制程;也可使得第一走線更靠近柔性基板,增大第一走線與第二走線的間距,降低第一走線與第二走線短路的風險。
一種實施方式中,所述第一走線突出于所述第一絕緣層之背向所述柔性基板的表面。由于第一絕緣層厚度較薄,設置第一走線適當?shù)耐怀鲇诘谝唤^緣層的表面,能使得第一走線有足夠的厚度尺寸,能實現(xiàn)導電功能,避免過薄的第一走線出現(xiàn)導電失效的缺陷。
一種實施方式中,所述凹槽之對應所述第二絕緣層一側的寬度大于對應所述柔性基板一側寬度。即凹槽的形狀形成倒梯形,便于第一走線填充滿凹槽的空間,避免產生空洞缺陷,能提升第一走線的導電性能。
一種實施方式中,在垂直于所述柔性面板的投影中,所述第二走線位于相鄰的兩條第一走線的中點。使得第二走線到與之相鄰的兩條第一走線的間距相等,能最大化的降低第二走線與相鄰的兩條第一走線短路的風險。
一種實施方式中,所述第一絕緣層為緩沖層,所述第一金屬層為柵極層,所述第二絕緣層為隔離層,所述第二金屬層為源/漏級層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





