[實用新型]一種微帶隔離器

有效

• 申請號: 202020562241.6
• 申請日: 2020-04-16
• 公開（公告）號: CN211556090U
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 孫靜;陳寧;高男;王玉龍;李揚興;劉紅;周俊;徐德超;王怡;王倩;杜俊波;吳燕輝
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第九研究所
• 主分類號: H01P1/36
• 分類號: H01P1/36
• 代理公司: 綿陽市博圖知識產權代理事務所(普通合伙) 51235
• 代理人: 黎仲

本實用新型公開了一種微帶隔離器，屬于微波元器件技術領域，包括旋磁鐵氧體基片（2）、陶瓷墊片（3）和永磁體（4），所示旋磁鐵氧體基片（2）全金屬面與陶瓷墊片（3）連接，所述陶瓷墊片（3）與永磁體（4）連接，所述旋磁鐵氧體基片（2）的另一面設置微帶電路，所述微帶電路中心為開縫六邊形結（51），并設置外加匹配節（52）與所述開縫六邊形結（51）匹配，并設置有矩形薄膜負載（53），所述矩形薄膜負載后接地；本實用新型解決了微帶隔離器單面場高隔離度的問題，尤其是極限溫度下隔離度能夠達到帶內23dB。

技術領域

本實用新型涉及微波元器件技術領域，尤其涉及一種微帶隔離器。

背景技術

現有的微帶隔離器，其結構如圖1所示，包括金屬底板1、旋磁鐵氧體基片2、陶瓷墊片3和永磁體4，其中，金屬底板1與旋磁鐵氧體基片2的全金屬面采用焊接的方式連接，旋磁鐵氧體基片2的電路面與陶瓷墊片3之間、陶瓷墊片3與永磁體4之間采用粘接的方式連接。

旋磁鐵氧體基片2的電路面設置電路結構，其一般采用薄膜微帶電路結構，其結構如圖2所示。現有的微帶隔離器又主要有兩種電路結構，分別是:雙Y結構電路匹配半圓形接地負載，如圖3所示；多路加抗的平面Y諧振結構電路匹配半圓形接地負載，如圖4所示。通過設計、計算環行器的基本參數、電磁場仿真軟件的仿真優化以及結合實際產品的試驗，得到性能優良的電路結構。圖3的雙Y結構電路的電性能仿真曲線如圖5所示，多路加抗的平面Y諧振結構電路的電性能仿真曲線如圖6所示。

目前，對于微帶隔離器的電性能指標如下表1：

表1電性能指標

但是，上述現有結構的一般隔離器無法在該頻段內實現-55℃～+85℃極限工作溫度下隔離度不小于23dB的指標；

微帶隔離器在極限溫度下隔離度會發生“漂移”，這種漂移現象會導致隔離度在-55℃～+85℃極限工作溫度下無法達到用戶要求的不小于23dB。產品要實現在窄頻段內同時兼顧駐波及高隔離度指標并確保產品溫度穩定性(-55℃～+85℃)。這需要隔離器常溫下至少有25dB的隔離度。

另外，目前一般隔離器的磁場是安裝在電路正面，可根據實測情況先調試電路再粘接磁場。而背面場隔離器是先粘接然后再調試電路，大大增加了調試難度，必須先定位背后磁場的位置，在仿真電阻值變化的范圍，解決磁場粘接后電路可調試的問題。

即，如圖5和圖6所示，現有的微帶隔離器，無論是雙Y結構電路還是多路加抗的平面Y諧振結構匹配半圓形接地負載，均無法達到頻帶內25dB的隔離度。雖然常溫下指標能夠達到，但在極限溫度下隔離度會發生“漂移”，這種漂移現象會導致隔離度在-55℃～+85℃極限工作溫度下無法達到不小于23dB的指標。

實用新型內容

本實用新型的目的就在于提供一種微帶隔離器，以解決上述問題。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是這樣的：一種微帶隔離器，包括旋磁鐵氧體基片、陶瓷墊片和永磁體，所示旋磁鐵氧體基片全金屬面與陶瓷墊片連接，所述陶瓷墊片與永磁體連接，所述旋磁鐵氧體基片的另一面設置微帶電路，所述微帶電路中心為開縫六邊形結，并設置外加匹配節與所述開縫六邊形結匹配，并設置有矩形薄膜負載，所述矩形薄膜負載后接地。

與傳統微帶隔離器相比，本實用新型取消了金屬底板，一方面可以減少加工工序，另外可以增加上表面與組件蓋板之間的距離從而達到增強兼容性的目的；本實用新型通過外加匹配節來和開縫六邊形結進行匹配，能夠有效增加隔離度。

作為優選的技術方案：所示旋磁鐵氧體基片全金屬面與陶瓷墊片之間采用粘接方式連接。

作為優選的技術方案：所述陶瓷墊片與永磁體之間采用粘接方式連接。