[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 202020552104.4
• 申請日: 2020-04-14
• 公開（公告）號: CN212136452U
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 曾鶯華

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

襯底；

依次層疊設置于所述襯底上的成核層、緩沖層、背勢壘層、溝道層、勢壘層；

與所述勢壘層相接觸的源極和漏極；

設于所述勢壘層上除所述源極和所述漏極以外區域的冒層；

設于所述冒層上的柵極；

設于所述冒層上除所述源極、所述漏極及所述柵極以外區域的鈍化層；

其中，所述成核層的材料為AlN；所述背勢壘層厚度大于1nm；所述溝道層的厚度小于300nm；所述勢壘層的厚度為1nm-10nm；所述冒層的厚度大于0.1nm；

所述半導體結構還包括：

過渡層，所述過渡層設于所述緩沖層與所述背勢壘層之間；

插入層，所述插入層設于所述背勢壘層與所述溝道層之間，所述插入層的材料為InGaN。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述緩沖層的材料包括GaN、AlGaN、AlN中的一種。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述背勢壘層的材料包括GaN、AlGaN、AlN中的一種。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述溝道層的材料包括GaN、InGaN中的一種。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述勢壘層的材料包括AlN、GaN、AlGaN中的一種。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述冒層的材料包括SiN、GaN中的一種。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底的材料包括Si、SiC、Al₂O₃中的一種。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述鈍化層的材料包括Al₂O₃、SiN、GaN、AlN中的一種；其中，AlN為多晶態或者為無定形態。