[實(shí)用新型]扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020534410.5
• 申請日: 2020-04-13
• 公開（公告）號: CN211980611U
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥亨;林正忠;吳政達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯長電半導(dǎo)體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

重新布線層，所述重新布線層包括第一面以及相對的第二面，所述重新布線層的第一面顯露有金屬布線層；

金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面的所述金屬布線層上，以實(shí)現(xiàn)所述重新布線層的電性引出；

金屬連接柱，形成于所述重新布線層的第二面上，所述金屬連接柱與所述重新布線層電性相連；

系統(tǒng)級芯片以及電源管理芯片，所述系統(tǒng)級芯片以及電源管理芯片接合于所述重新布線層的第二面上，以實(shí)現(xiàn)與所述重新布線層的電性連接；

封裝層，覆蓋于所述金屬連接柱、系統(tǒng)級芯片以及電源管理芯片，且所述金屬連接柱顯露于所述封裝層；

連接布線層，位于所述封裝層上，所述連接布線層與所述金屬連接柱電性連接；

存儲芯片及被動(dòng)組件，接合于所述連接布線層，以實(shí)現(xiàn)與所述連接布線層的電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述重新布線層包括：

圖形化的第一介質(zhì)層；

圖形化的第一金屬布線層，位于所述圖形化的第一介質(zhì)層上，所述第一金屬布線層與所述金屬連接柱、所述系統(tǒng)級芯片以及所述電源管理芯片連接；

圖形化的第二介質(zhì)層，位于所述第一金屬布線層上；

圖形化的第二金屬布線層，位于所述第二介質(zhì)層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述連接布線層包括：

圖形化的第一絕緣層；

圖形化的布線層，形成于所述第一絕緣層上，所述布線層與所述金屬連接柱電性連接；

圖形化的第二絕緣層，形成于所述布線層上，所述金屬連接柱穿過所述第二絕緣層與所述布線層連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一絕緣層中具有窗口，所述窗口顯露所述布線層，所述存儲芯片與所述被動(dòng)組件通過所述窗口與所述布線層連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二絕緣層中形成有顯露所述布線層的通孔，所述金屬連接柱通過電鍍工藝形成于所述通孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述存儲芯片包括ePoP存儲器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述被動(dòng)組件包括多個(gè)被動(dòng)元件，所述被動(dòng)元件包括電阻、電容及電感中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝層的頂面超出所述系統(tǒng)級芯片以及電源管理芯片的頂面的厚度介于0微米～10微米。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的厚度不大于1毫米。