[實用新型]一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置有效
| 申請號: | 202020532428.1 | 申請日: | 2020-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN211879344U | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 賀少鵬;童燦釗;巫禮杰;仰瑞;李遷;趙冬冬;王博;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 張美君 |
| 地址: | 518000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提籃 內晶圓 放置 狀態 檢測 裝置 | ||
1.一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,包括安裝平面和控制系統,其特征在于,還包括與所述控制系統電連接的激光檢測裝置、用于固定提籃的檢測平臺和固定于安裝平面上驅動所述激光檢測裝置或者所述檢測平臺在所述安裝平面上升降的第一驅動組件,所述第一驅動組件與所述控制系統電連接,所述提籃內設置有至少一層的晶圓放置空間,所述激光檢測裝置包括安裝支架、設置于所述安裝支架上、與所述晶圓放置空間中的晶圓平行設置的水平安裝桿和設置于所述水平安裝桿上的與所述控制系統電連接的至少三個激光光電傳感器,每個所述激光光電傳感器均可在所述提籃的同一層所述晶圓放置空間內形成檢測光斑,所述激光檢測裝置在同一層所述晶圓放置空間內所形成的至少三個的所述檢測光斑在豎直和水平方向上均相互錯開。
2.如權利要求1所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光檢測裝置還包括設置于所述水平安裝桿上的用于分別調節每個所述激光光電傳感器在所述水平安裝桿上水平和豎直方向上的相對位置的機械夾爪懸臂。
3.如權利要求2所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光檢測裝置包括三個所述激光光電傳感器,分別為第一傳感器、第二傳感器和第三傳感器,所述晶圓放置空間內在豎直方向上分為上方區域、中間區域和下方區域,所述第一傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的第一檢測光斑位于所述下方區域內,所述第二傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的第二檢測光斑位于所述上方區域內,所述第三傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的第三檢測光斑位于所述中間區域內,所述第二傳感器在水平方向上位于所述第一傳感器和所述第三傳感器之間。
4.如權利要求2所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光檢測裝置包括四個所述激光光電傳感器,分別為左傳感器、右傳感器、第四傳感器和第五傳感器,所述晶圓放置空間內在豎直方向上分為上方區域、中間區域和下方區域,所述左傳感器和所述右傳感器分別位于所述水平安裝桿的兩側且在所述晶圓放置空間內所形成的第四檢測光斑和第五檢測光斑均位于所述上方區域內,所述第四傳感器和所述第五傳感器均位于所述左傳感器和所述右傳感器之間,且所述第四傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的第六檢測光斑位于所述中間區域內,所述第五傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的第七檢測光斑位于所述下方區域內。
5.如權利要求1所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,每個所述激光光電傳感器在所述晶圓放置空間內所形成的所述檢測光斑的尺寸小于2mm。
6.如權利要求1所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光光電傳感器為直接反射型激光傳感器、鏡面反射型激光傳感器或光纖對射型傳感器的一種。
7.如權利要求1所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述檢測平臺包括水平固定板和設置于所述水平固定板上的四個用于固定所述提籃的角塊。
8.如權利要求1所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光檢測裝置還包括固定于所述安裝支架上用于驅動所述水平安裝桿在水平方向上靠近或者遠離所述檢測平臺的第二驅動組件。
9.如權利要求1-8任一項所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述激光檢測裝置固定于所述安裝平面上,所述檢測平臺固定于所述第一驅動組件上,所述檢測平臺由所述第一驅動組件驅動在豎直方向上升降。
10.如權利要求1-8任一項所述的一種提籃內晶圓放置狀態檢測裝置,其特征在于,所述檢測平臺固定于所述安裝平面上,所述激光檢測裝置固定于所述第一驅動組件上,所述激光檢測裝置由所述第一驅動組件驅動在豎直方向上升降。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





