[實(shí)用新型]一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202020519503.0
• 申請(qǐng)日: 2020-04-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN211480027U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張傲峰;李建財(cái)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11517
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11517;H01L27/11521
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 苗曉娟

1.一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括：

襯底；

至少兩個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述隔離結(jié)構(gòu)位于所述襯底中且其頂面高于所述襯底表面；

凹部，其位于每個(gè)所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁與相鄰所述襯底側(cè)壁之間；

隧穿氧化層，其位于所述襯底的表面及所述襯底側(cè)壁上；

柵極層，其位于所述隧穿氧化層和所述凹部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)呈倒置梯形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極層包括層疊設(shè)置的浮柵層、介電層和控制柵層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述浮柵層位于所述隧穿氧化層和所述凹部上，且所述浮柵層的上表面和所述隔離結(jié)構(gòu)的上表面齊平。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層位于所述浮柵層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層包括層疊設(shè)置的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述控制柵層位于所述介電層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底上設(shè)有阱注入?yún)^(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹部的橫截面呈弧形曲線型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹部和所述襯底側(cè)壁鄰接的曲面的曲率半徑與所述凹部和所述隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁鄰接的曲面的曲率半徑不相同。