[實用新型]具有溝槽結構的半導體器件

有效

• 申請號: 202020513822.0
• 申請日: 2020-04-09
• 公開（公告）號: CN212113729U
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 鄭亞良;李浩南;陳偉鈿;周永昌;張永杰;孫倩;黎沛濤
• 申請（專利權）人: 創能動力科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 王媛

1.一種具有溝槽結構的半導體器件，其特征在于，包括：

具有第一導電類型的基底，所述基底具有第一面和第二面；

設置在所述基底的第一面上的漂移層，所述漂移層具有第一導電類型；

設置在所述漂移層上的阱區，所述阱區具有第二導電類型，第二導電類型與第一導電類型相反；

設置在所述阱區上的第一接觸區和第二接觸區，所述第一接觸區具有第一導電類型，所述第二接觸區具有第二導電類型；

溝槽，所述溝槽從所述第一接觸區的表面朝向所述基底的方向延伸至所述漂移層內部，所述溝槽的側壁與所述第一接觸區和所述阱區接觸；

具有第二導電類型的第一掩埋區和第二掩埋區，所述第一掩埋區和所述第二掩埋區設置在所述溝槽的底壁的下方并且與所述底壁接觸；

柵區，所述柵區設置在所述溝槽中；

第一源金屬區，所述第一源金屬區設置在所述溝槽中并且位于所述柵區下方，所述第一源金屬區與所述漂移層的一部分接觸并且在接觸界面形成肖特基接觸；

柵氧化區，所述柵氧化區的至少一部分設置在所述溝槽中，并且包圍所述柵區，以使得所述柵區與所述阱區、第一接觸區、第一源金屬區隔開；

第二源金屬區，所述第二源金屬區設置在所述第一接觸區和所述第二接觸區上方，并且與所述第一接觸區和所述第二接觸區接觸，所述第二源金屬區與所述第一源金屬區電連接；以及

漏金屬區，所述漏金屬區與所述基底的第二面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，沿從所述阱區朝向所述基底的方向，所述第一掩埋區的一個側邊與所述溝槽的一個側壁對齊，所述第二掩埋區的一個側邊與所述溝槽的一個側壁對齊。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在與所述基底的第一面平行的至少一個方向上，所述第一掩埋區的一個側邊與所述第二掩埋區的一個側邊之間的距離大于所述溝槽的底壁的寬度。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一掩埋區和第二掩埋區均是連續的掩埋區。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一掩埋區和第二掩埋區中的任一者均包括多個不連續的掩埋子區。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括碳化硅、硅、和氮化鎵中的一種或多種。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，第一導電類型是N型，第二導電類型是P型。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述漂移層包括第一漂移層和設置在第一漂移層上的第二漂移層，所述第一掩埋區和所述第二掩埋區設置在所述第一漂移層中。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一掩埋區的至少一部分和所述第二掩埋區的至少一部分與所述第二漂移層接觸。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述溝槽穿過所述第二漂移層并且與所述第一漂移層接觸。