[實用新型]一種部分氧化布拉格反射層結構的LED芯片

有效

• 申請號: 202020501383.1
• 申請日: 2020-04-08
• 公開（公告）號: CN212011014U
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 王克來;白繼鋒;徐培強;張銀橋;王向武;潘彬
• 申請（專利權）人: 南昌凱迅光電有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/00;H01L33/30;H01L33/22
• 代理公司: 南昌大牛知識產權代理事務所(普通合伙) 36135
• 代理人: 喻莎

1.一種部分氧化布拉格反射層結構的LED芯片，其特征在于：包括GaAs襯底(2)，所述GaAs襯底(2)一側依此從下往上設置緩沖層(3)、布拉格反射層(4)、n-AlGaInP限制層(5)、多量子阱有源層(6)、p-AlGaInP限制層(7)、GaP窗口層(8)、p電極層(9)，所述布拉格反射層(4)為上下兩層組成的復合結構，所述GaAs襯底(2)另一側設置n電極層(1)，所述GaP窗口層(8)在p電極層(9)正下方以外區域進行局部粗化處理。

2.根據權利要求1所述的一種部分氧化布拉格反射層結構的LED芯片，其特征在于：所述布拉格反射層(4)選用的材料為AlAs/AlGaAs，布拉格反射層的對數大于20對，下層設有氧化區域，每層AlAs氧化層的厚度大于40nm。