[實用新型]等離子處理真空腔體結構

有效

• 申請號: 202020488764.0
• 申請日: 2020-04-07
• 公開（公告）號: CN211455641U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 羅弦
• 申請（專利權）人: 深圳市誠峰智造有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 王芳

1.一種等離子處理真空腔體結構，其特征在于，包括絕緣體、電極板、第一腔體和與所述第一腔體相配合的第二腔體，所述絕緣體設置于所述第一腔體內，所述電極板設置于所述絕緣體靠近第二腔體的一側面上，所述第一腔體、第二腔體圍成等離子處理空間。

2.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述絕緣體靠近第二腔體的一側面上設有與所述電極板相適配的第一凹陷位。

3.根據權利要求2所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，還包括導電條，所述絕緣體靠近電極板的一側面上設有與所述導電條相適配的第二凹陷位，所述導電條與所述電極板電性導通。

4.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述絕緣體的材質為陶瓷，且所述絕緣體的厚度大于或等于20mm。

5.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述第一腔體內設有進氣管，所述進氣管靠近所述第一腔體的內側壁設置，所述進氣管的形狀為U形，所述進氣管相對的兩邊上均設有進氣孔，且相對的兩邊上的進氣孔錯位設置。

6.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，還包括密封件，所述第一腔體靠近第二腔體的一側面上設有凹槽，所述密封件設置于所述凹槽內。

7.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述第一腔體上設有導電柱，所述第二腔體通過所述導電柱與所述第一腔體電性導通。

8.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述第一腔體上設有視窗結構。

9.根據權利要求1所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述第一腔體上設有法蘭，所述法蘭與所述等離子處理空間連通。

10.根據權利要求9所述的等離子處理真空腔體結構，其特征在于，所述第一腔體的內側壁上還設有布氣板，所述布氣板與所述法蘭對應設置，且所述布氣板與法蘭之間留有間隙。