[實用新型]用于半導體制造工藝的噴嘴機構

有效

• 申請號: 202020488090.4
• 申請日: 2020-04-07
• 公開（公告）號: CN212576583U
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 尹安和
• 申請（專利權）人: 芯米（廈門）半導體設備有限公司
• 主分類號: B05B1/14
• 分類號: B05B1/14;B05B1/30
• 代理公司: 廈門仕誠聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 35227
• 代理人: 吳圳添

1.一種用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，包括：

承載體；

貫穿所述承載體上表面和下表面的多個管道；

所述管道在所述承載體的上表面形成上管口，所述管道在所述承載體的下表面形成下管口；

所述上管口用于連接外部送液管；

全部所述下管口朝向同一噴涂點。

2.如權利要求1所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述上管口大于所述下管口。

3.如權利要求1所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述管道的上端內壁具有上螺紋，所述上螺紋用于所述上管口與所述送液管的連接。

4.如權利要求1所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述上管口的周沿具有上環形槽，所述上環形槽限定所述管道的上端成為上凸起，所述上凸起的外側面具有上部螺紋，所述上部螺紋用于所述上管口與所述送液管的連接。

5.如權利要求1所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述上管口在所述承載體上表面呈行列排布，或者所述上管口在所述承載體上表面呈單圈排布，或者所述上管口在所述承載體上表面呈多圈排布，或者所述上管口在所述承載體上表面呈具有中心的單圈排布，或者所述上管口在所述承載體上表面呈具有中心的多圈排布。

6.如權利要求1所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述承載體為長方體、圓柱體、截頂圓錐體、棱臺或者球體。

7.如權利要求1至6任意一項所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述下管口連接下管嘴，所述下管嘴連接在所述下管口之后，全部所述下管嘴朝向同一個噴涂點。

8.如權利要求7所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述管道的下端內壁具有下螺紋，所述下螺紋用于所述下管口與所述下管嘴的連接。

9.如權利要求8所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述下管口的周沿具有下環形槽，所述下環形槽限定所述管道的下端成為下凸起，所述下凸起的外側面具有下部螺紋，所述下部螺紋用于所述下管口與所述下管嘴的連接。

10.如權利要求9所述的用于半導體制造工藝的噴嘴機構，其特征在于，所述下管嘴內部的通道呈上寬下窄的形狀。