[實用新型]一種MOSFET封裝結構

有效

• 申請號: 202020485401.1
• 申請日: 2020-04-03
• 公開（公告）號: CN211743131U
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 田園農
• 申請（專利權）人: 西安安森德半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/49;H01L23/495;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 44324
• 代理人: 周松強

本實用新型提供一種MOSFET封裝結構，該封裝結構包括有芯片、芯片載體、引腳部和殼體，所述芯片固定設置在芯片載體上，所述引腳部上設置有復數根壓焊線，所述引腳部通過復數根壓焊線與芯片連接，所述芯片、芯片載體和引腳部均固定設置在殼體內，其特征在于，所述芯片載體包括有固定連接的芯片載體主體和漏極部，所述芯片固定設置在芯片載體主體上，所述引腳部包括有柵極部和源極部，且所述柵極部和源極部為非對稱式結構。上述柵極部和源極部為非對稱式結構的設置，使得該封裝結構的柵極部和源極部上面的壓焊線更加合理的分布，使得該封裝結構的內部構造更加合理。

技術領域

本實用新型屬于半導體器件領域，特別涉及到了一種MOSFET結構。

背景技術

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管 (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET 依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS 等。但是現有的MOSFET封裝DFN3.3*3.3和DFN5*6的功率熱阻散熱面積分別為：7m㎡和14m㎡。而在中間缺少了功率熱阻散熱面積為11m㎡的MOSFET 封裝結構。且現有的MOSFET封裝結構的內部柵極和源極的結構設置任存在不足。

如專利申請號為“CN201520431392.7”是對比文件1一種超薄的MOSFET 封裝結構，包括MOSFET晶圓，所述MOSFET晶圓的電極面上設有導通部分，所述MOSFET晶圓的側壁呈溝槽結構；所述導通部分和溝槽結構的側面鋪有導電線路層；所述MOSFET晶圓的電極面上除導通部分外鋪有絕緣保護層；所述導通部分的導電線路層上設有凸點；所述MOSFET晶圓的背面鋪設有背面導電層。該對比文件1的封裝結構工藝簡單，可進行晶圓級加工，效率高，周期短，封裝的整體厚度可以降低到很薄，封裝的體積比較小。但是該對比文件仍然沒有解決上述問題。

發明內容

為了解決上述問題，本實用新型的目的在于提供一種封裝結構的內部構造更加合理的一種MOSFET封裝結構。

本實用新型的另一個目的在于提供一種更加方便合理的分配的壓焊線的一種MOSFET封裝結構。

為了實現上述目的，本實用新型的技術方案如下。

本實用新型提供一種MOSFET封裝結構，該封裝結構包括有芯片、芯片載體、引腳部和殼體，所述芯片固定設置在芯片載體上，所述引腳部上設置有復數根壓焊線，所述引腳部通過復數根壓焊線與芯片連接，所述芯片、芯片載體和引腳部均固定設置在殼體內，其特征在于，所述芯片載體包括有固定連接的芯片載體主體和漏極部，所述芯片固定設置在芯片載體主體上，所述引腳部包括有柵極部和源極部，且所述柵極部和源極部為非對稱式結構。上述柵極部和源極部即為該結構的柵極和源極，上述柵極部和源極部為非對稱式結構的設置，使得該封裝結構的柵極部和源極部上面的壓焊線更加合理的分布，使得該封裝結構的內部構造更加合理，上述漏極部即為該MOSFET的漏極，上述引腳部采用打線的方式與芯片連接，而壓焊線即為打線過程所生成金屬線。上述芯片為現有技術，即能夠安裝在本實用新型所描述的芯片載體上即可。